【CNMO 科技消息】近日，全球半导体协会 SEMI 在美国旧金山莫斯康中心举行 "SEMI 市场研讨会 "，发布全球存储芯片产能预测数据，预计全球 DRAM 生产产能到 2030 年将较 2025 年增长 41%。

DRAM

SEMI 预计，全球 DRAM 晶圆产能（以晶圆换算）将从 2025 年的月均 208 万片增长至 2030 年的 294 万片，五年间月产能增加 86 万片，年均复合增长率约为 7.1%。

从制程结构来看，产能增长高度集中于 15nm 及以下的先进 DRAM。2025 年先进 DRAM 月产能为 145 万片，预计到 2030 年将增至 245 万片，月产能增加 100 万片，年均复合增长率达 11.1%。届时，先进 DRAM 将占据全球 DRAM 总产能的约 83%。相比之下，16nm 及以上的成熟 DRAM 产能将从月均 63.4 万片缩减至 49.2 万片，五年间减少 14.2 万片。

NAND Flash 方面，SEMI 预计全球 NAND 产能将从 2025 年的月均 167 万片增长至 2030 年的 202 万片，五年间月产能增加 35 万片，年均复合增长率约为 4%。产品结构将发生显著变化：2025 年几乎未量产的 400 层以上 NAND 产品，预计到 2030 年将占据整体 NAND 产能的约 82%，600 层产品也有望在此期间面世。

SEMI 市场情报高级总监 Clark Tseng 表示，高带宽存储器（HBM）的生产相比普通 DRAM 需要更多先进晶圆和后处理资源，成熟 DRAM 产能正在缩减或转作他用。因此，即便整体产能有所增长，先进 DRAM 与成熟 DRAM 仍可能同时出现供应短缺。

Tseng 还指出，随着堆叠层数增加，高堆叠 NAND 的刻蚀与沉积工艺复杂度提升，应力控制和良率保障难度加大，HBM 的堆叠方式与制造难度也在持续上升，设备和材料需求的增速可能超过产能本身的增长。

版权所有，未经许可不得转载