国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体器件及其形成方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN122934773A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其形成方法、存储系统，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括多个电容结构、至少一个第一极板和第一接触结构，第一极板与多个电容结构耦接；第二半导体结构，与第一半导体结构键合连接；沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的导电结构，位于第一半导体结构远离第二半导体结构的一侧；导电结构包括多个至少与第二半导体结构耦接的第一导电结构和位于相邻的第一导电结构之间且与第一极板耦接的第二导电结构；第一极板位于第二导电结构和多个电容结构之间；第一接触结构沿第三方向延伸且位于第一极板沿第一方向的一侧，第一接触结构沿第三方向相对的第一端和第二端分别与第二导电结构和第二半导体结构耦接。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业，参与招投标项目 1503 次，财产线索方面有商标信息 1032 条，专利信息 6309 条，此外企业还拥有行政许可 1243 个。

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作者：情报员