快科技 10 月 19 日消息，据报道，韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席 IMF 与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至 2027 年，理由是半导体供需缺口仍然巨大，且供给端仍在持续扩张。

然而，韩国《每日经济》日前发表的专栏给出了截然不同的时间表。专栏援引首尔大学教授黄哲成的判断称，2028 年之前是安全区，2029 年起新建产能将集中释放，存储市场将转为红海。到 2030 年，超级周期可能结束，产业进入下行阶段。

专栏列出的风险清单包括 AI 投资速度调整、美国长期国债收益率逼近 6%，以及中国长鑫存储与韩国的技术差距已缩小至 1 至 2 年。

特斯拉 CEO 马斯克也在 X 平台回应称，中国将在 2028 年大量生产 RAM，被解读为对中国存储产能冲击的侧面印证。

值得一提的是，两种叙事并不必然矛盾。存储产能从投资到量产通常有 2 至 3 年的滞后期，2027 年的繁荣与 2029 年的过剩完全可以同时成立。

目前，三星 2026 年产能扩张约 50%，SK 海力士基础设施投资增至原计划 4 倍，厂商都在赌在过剩到来前收回投资。

SK 海力士 2026 年第二季度营业利润同比增长 557.2%，管理层重申需求到 2030 年都将超过供给。TrendForce 集邦咨询预测，2027 年 HBM 价格将较 2026 年上涨 121%，全球存储市场规模有望突破 1.28 万亿美元。

不过，关于存储芯片行业繁荣与过剩的赛跑，答案或将在未来几个季度的财报与资本开支数据中逐步揭晓。

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