智通财经获悉，据四位知情人士透露，三星电子和 SK 海力士 ( SKHY.US ) 正在对其中国工厂进行产线升级，以生产更先进的存储芯片，旨在抵御来自快速成长的中国竞争对手的竞争，并满足巨大的人工智能 ( AI ) 需求。

自美国于 2022 年开始对部分芯片制造设备实施出口管制以来，这两家韩国半导体巨头在中国业务的投资规模已成为其面临的棘手问题。

如今，这两家公司若想在中国安装刻蚀机等美国制造的设备，每年都必须申请美国许可。美国商务部工业与安全局还在 2025 年表示，不打算向这些外国芯片制造商中国工厂的技术升级和产能扩张发放许可证。

监管层面的困扰限制了他们改造工厂的能力，也导致其市场份额被长江存储 ( YMTC ) 蚕食。这两家韩国芯片制造商的高管已公开警告称，地缘政治紧张局势正在损害其中国业务。

三星和 SK 海力士在一份声明中证实，升级工作正在进行，且是在与美方密切协商下开展的，但未透露生产计划细节。目前也无法确定美国当局在多大程度上为三星和 SK 海力士计划升级所需的设备发放了出口许可证。

据知情人士称，这两家公司正致力于在中国工厂制造层数超过 200 层的闪存 NAND 芯片，把产线工艺水平追平韩国本土产线。

NAND 闪存属于断电可保留数据的存储芯片，广泛用于智能手机、PC 以及 AI 数据中心固态硬盘 ; 单颗芯片堆叠层数越高，存储密度越大，单位存储成本越低。

据两位知情人士称，三星位于中国西北部西安的工厂约占该公司全球 NAND 产量的 40%，目前生产约 200 层的芯片。

其中一位知情人士称，作为内部代号为 "Monami" 的项目的一部分，三星正在将该工厂改造为生产 286 层 V9 NAND 芯片，目标是今年 12 月实现月产 5000 片晶圆，随后到 2027 年 12 月提升至 40000 片晶圆。

三星表示，其升级符合美国出口法规，并补充称：" 此次升级旨在满足全球客户 ( 包括美国客户 ) 日益增长的需求。公司并未扩大产能或新建制造设施。"

三位知情人士称，SK 海力士正寻求在其位于中国东北大连的工厂转产 240 层及以上的 NAND 产品。

一位知情人士称，该公司目前在大连生产 192 层产品。

SK 海力士于 2021 年收购英特尔 ( INTC.US ) NAND 业务时获得了大连工厂，该工厂仍是该业务唯一的 NAND 芯片制造基地。该业务现名为 Solidigm，正在筹备赴美首次公开募股。

其中一位知情人士称，该公司获准在大连生产最高 240 层的芯片，并可能寻求美国的许可，在大连开展 300 层以上芯片的研发，这将有助于为在美国的潜在生产奠定基础。该公司正与特朗普政府就赴美新建 NAND 工厂的计划进行磋商。

美国商务部工业与安全局未直接回应关于韩国芯片制造商审批状态的提问。该部分仅重申其 2025 年的声明，即其打算为这些公司运营其中国现有工厂发放许可证申请，但不会批准产能扩张或技术升级。

在三星和 SK 海力士纠结于对中国工厂投资多少之际，长江存储的发展势头迅猛。

研究机构 Omdia 的数据显示，长江存储在今年第二季度占据中国 NAND 市场 38.5% 的份额，高于 2025 年全年的 28%，并超越了三星。相比之下，三星的份额已从 36% 下滑至 33.5%，SK 海力士的份额则从 20% 降至 17%。

据另外两位知情人士称，长江存储的产品线主要是 160 层和 232 层 NAND 芯片，但也生产少量 294 层芯片，并计划制造层数超过 300 层的产品。

长江存储未回应置评请求。

在中国以外，三星销售最高 286 层的 NAND 芯片，并于今年 8 月发布了层数超过 400 层的 NAND 芯片原型。SK 海力士销售最高 321 层的 NAND 芯片。