国产 DRAM 龙头长鑫科技正在资本市场走出一轮跌宕起伏的行情。10 月 19 日，其盘中报价 41 元，跌幅一度近 9%，10 月 20 日盘中一度跌超 4%，直到 10 月 21 日才翻红报收 40.97 元，涨 1.61%。

虽然长鑫科技此前刚抛出一份增长的前三季度预报，但资本市场 " 炒 " 的更多还是预期。面对外界对 DRAM 涨价见顶的担忧，长鑫科技将 180 亿元超募资金投向研发，能否让它建立起技术壁垒穿越周期？

对于市值曾冲上 4.2 万亿元的长鑫科技来说，如今 2.78 万亿元的市值相较峰值已缩水约三成。

本轮行情中，最有代表性的一个交易日是 10 月 19 日。当日长鑫科技股价收于 41.52 元，跌 7.77%。不过这并不是它的股价最低时刻。

长鑫科技今年 7 月 27 日登陆 A 股，发行价为 8.66 元。它股价的 52 周最低点就是上市首日盘中创下的 38.11 元。当时有业内人士在跟《华夏时报》记者交流时认为，大量打新中签的筹码在首日开盘后集中抛售是重要原因。此外，其 52 周最高点则是 8 月 17 日盘中创下的 61.8 元。

10 月 19 日，长鑫科技还成为 A 股资金博弈最激烈的单一标的。

公开资料显示，当天沪深两市合计成交额约 1.44 万亿元，只有 3 只个股成交额超过百亿元，其中长鑫科技的成交额约 181 亿元，位居第一。此外，长鑫科技当天的换手率为 9.6%，这意味着它的流通筹码在一天之内有近十分之一换手，在当日成交额 TOP20 的个股中换手率最高。

不过长鑫科技股价的跌宕起伏并不是一桩孤立事件。10 月 19 日，A 股存储芯片股开盘普跌，其中芯朋微、和林微纳盘中股价都跌超 10%。从全球市场来看，海外存储板块也已率先进行调整：10 月 16 日，美光科技收跌 5.63%，而在前一日，SK 海力士和三星电子股价均下跌约 10%。

对于存储板块的股价波动，透镜研究创始人况玉清在跟《华夏时报》记者交流时认为，目前全球存储板块外围环境不太好，特别是存储业务主导的三星和海力士股价都下跌严重，" 现在全球资本市场对存储的预期信心出现了阶段性的松动，但这个松动是阶段性的，还是拐点性的，现在还不好判断。"

有意思的是，对于长鑫科技的股价，高盛和瑞银两家投行在 10 月 20 日给出了相反预期。高盛将目标价从 129 元上调至 130 元，维持 " 买入 "，并上调了长鑫科技 2026 至 2030 年的盈利预测。瑞银则将目标价从 80 元下调至 76 元，维持 " 买入 "，同时将长鑫科技 2026 年盈利预测下调 5.5%。

在 10 月 19 日股价下跌前，长鑫刚抛出了一份不低于 10 亿元，不超过 20 亿元的股价回购提议，以及一份同比大增的前三季度业绩预报。

10 月 16 日晚间，长鑫科技宣布，预计今年前三季度营业收入约为 2650 亿元至 2700 亿元，

归母净利润约为 1310 亿元至 1325 亿元。作为对比，其去年前三季度营业收入只有 320.84 亿元，归母净利润为 -52.8 亿元。聚焦到今年 Q3，长鑫科技当期净利润预计在 533.95 亿元至 548.95 亿元之间，日均盈利约 5.8 亿元— 5.97 亿元。

但就是这份同比扭亏为盈、大幅增长的业绩预报，成为长鑫科技这轮跌宕行情的导火索之一。

最大的根结在于环比。根据业绩预告，长鑫科技今年 Q3 净利润的环比增幅约在 1% — 3.9% 之间，但今年 Q1、Q2 它的净利润环比增速分别高达 246.09% 和 113.4%。

相较于 Q2 净利润环比增速的几乎腰斩，长鑫科技 Q3 净利润的环比增速显然下降得更快。这也牵出一个资本市场持续关心的问题，通用型 DRAM 的短缺将持续到何时，作为本轮存储风口的受益者，长鑫科技的红利期又将持续到何时？

据《华夏时报》记者了解，自去年以来，通用型 DRAM 价格持续上涨，主要源于 AI 需求爆发挤占了通用 DRAM 的产能，存储巨头将大量产能转向毛利更高的 HBM（高带宽内存），导致通用型 DRAM 供应不足、价格飙涨。

但根据 TrendForce 集邦咨询今年 9 月末发布的报告，2026 年 Q4 通用型 DRAM 合约价预计将环比季增 10% 至 15%。这意味着今年 Q4 通用 DRAM 价格的进一步放缓。作为对比，其此前预计，通用型 DRAM 的合约价格今年 Q1 季增 90% — 95%，今年 Q2 季增 58% — 63%，今年 Q3 则是季增 13% — 18%。

不过，TrendForce 集邦咨询分析师许家源对《华夏时报》记者表示，DRAM 今年 Q4 涨价增速放缓，主要系比较基期已垫高，涨价绝对金额仍可观，此外 PC、手机等消费端对存储价格上涨的承受能力有限，亦是主要原因，" 原厂持续将位元供给转向 Server 应用，以优化自身平均出货价格。"

许家源还对本报记者表示，TrendForce 目前预估，DRAM 市场可能在 2028 年达到供需平衡，反映原厂新厂产能陆续加速投放，逐步跟上 AI 云端资本支出的成长所需。

面对存储行业的波动与周期隐忧，长鑫科技给出的应对之一是在研发和产能上持续高投入。

10 月 19 日，长鑫科技召开第二次临时股东大会，通过的议案之一是拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目，同时，还拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金 50 亿元，由其新建 " 长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目 "。而这两个项目的总投资金额预计为 349 亿元。

其中，长鑫科技的新建技术研发项目计划投资总额 241 亿元，建设周期 30 个月，设备购置费占投资总额的近 93%。公告还显示，该研发项目不单独进行投资回报测算，最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。有业内人士在跟本报记者交流时认为，这大概率是长鑫在为下一代 DRAM 技术平台做准备。

需要提及的是，9 月 20 日，长鑫科技在世界制造业大会上宣布其第五代 DRAM 技术平台（下称 "G5 平台 "）实现量产。公开资料显示，依据 DUV 四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米。这个数字被认为已经进入当前 DRAM 量产工艺第一梯队的门槛。

10 月 21 日，长鑫科技方面还对《华夏时报》记者表示，G5 平台目前有 LPDDR5X 量产产品，主要应用在消费电子终端，例如手机、笔记本电脑、移动端产品上，并已在常规客户上逐步导入。对于消费电子之外的应用领域，长鑫科技方面还对记者表示，工艺平台主要是制造端的迭代，产品使用方向还是要看需求端的情况。

而对于国产存储企业如何缩小与全球存储巨头的差距，智参智库特聘专家袁博认为，国产存储芯片企业需要通过芯片的系统架构与工程工艺的创新实现 " 换道超车 "，例如采用更高效的架构，降低和先进企业的差距，避免在 EUV 这个赛道上和国际巨头被动竞争。

他同时对《华夏时报》记者表示，国产存储企业还应抓住国产化的机遇，一方面利用国产刚需弥补技术验证成本，加速先进工艺的迭代与良率爬坡，另一方面，利用国内庞大的基础市场锁定长期订单，在研发投入较高、初期成本偏高的阶段，依靠稳定国内基本盘维持产能利用率，" 通过持续扩大国内市场份额，避免和国际巨头直接价格战陷入被动。"

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