快科技 10 月 22 日消息，据报道，美光总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 在 2026 年度技术网络研讨会上明确表态：经过二十多年研究，4F ² DRAM 架构不存在可行的微缩路径，其相对于 6F ² 的密度优势有点神话。

同时，他暗示长鑫正在实施的 4F ²  DRAM 技术是死路一条。美光将跳过 4F ²，坚持 6F ² 并全力转向 3D DRAM。

这一表态直接回应了长鑫存储本月早些时候宣布的计划：2026 年底前推出基于 4F ² 架构的 DDR5 RDIMM 服务器内存。消息曾引发全球存储股集体重挫，SK 海力士单日暴跌超 10%，三星跌超 7%，市场担忧中国厂商的架构突破将改写竞争格局。

4F ² 的核心思路，是将 DRAM 单元中的晶体管与电容从平面并排改为垂直堆叠，使单元面积从 6 倍特征尺寸平方压缩至 4 倍，理论上可缩减 30% 至 40% 的芯片面积。

但美光认为，真正的密度瓶颈不在单元架构，而在电容间距。DeBoer 直言，部分关于 4F ² 与 6F ² 的比较是 " 故弄玄虚 "，在给定电容尺寸下，4F ² 和 6F ² 的优化空间并无本质差异。

更现实的障碍是成本与良率。4F ² 需要引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难。

美光的判断是：为缩小 30% 面积而多付 50% 制造成本，商业逻辑不成立。相比之下，3D DRAM 将存储单元垂直排列，从结构层面突破平面极限，量产风险更低，扩展空间更大。

那么长鑫为何仍押注 4F ²？答案不在技术优劣，而在设备约束。由于无法获得 EUV 光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死在有限的分辨率空间内。4F ² 通过垂直堆叠换取密度，是在 DUV 条件下继续推进制程的为数不多的工程选项。

需要指出的是，行业路线已明显分裂。三星采取中间策略：2027 年完成 1d nm 节点 6F ² 量产，2028 年底前再导入 4F ²；SK 海力士同样在评估两条路线。

美光则是最决绝的一个，直接跳过 4F ²，将 3D1、3D2 两代 3D DRAM 写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直 HBM。

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