韩国存储芯片企业的在华合资工厂有三处，分别是三星在西安建设的合资工厂、SK 海力士在无锡建设的合资工厂以及 SK 海力士多年前收购的英特尔大连工厂。

三星西安工厂主要生产 3D NAND 闪存芯片、SK 海力士无锡工厂主要生产 DRAM 内存芯片、被收购的大连工厂此前是英特尔的闪存制造基地，如今成为了 SK 海力士子品牌 Solidigm 的闪存工厂。

受限于出口管制因素，三星西安工厂的生产线技术还停留在 200 层 NAND 闪存芯片，但是却占据了三星总闪存产能的 40%，是三星唯一的大型海外生产基地。

而 SK 海力士大连工厂的生产线技术跟三星西安工厂差不多，最高是 192 层 NAND 闪存芯片。

闪存芯片的堆叠层数越高，其单位芯片的存储密度也就越大，生产成本也会降低。追求更高的堆叠层数、更高的堆叠密度、更高的制造效率、更低的生产成本，这是整个 NAND 闪存产业的共同目标。

虽然 200 层左右的闪存芯片也可以满足大部分产品的需求，但是对于服务器、移动终端等 ai 产业相关的设备，200 层已经完全不能满足产业技术升级的要求，整个产业都在往 300 层及更高堆叠层数的技术节点发展。

三星韩国总部已经可以量产 286 层的闪存芯片，并且启动了 400 层闪存芯片的技术研发工作，而 SK 海力士在售的闪存芯片产品也已经达到了 321 层。

对比最先进的技术产品，韩国企业在华合资工厂依然停留在多年前的 200 层上面，存在明显的技术落后。

而更为关键的是，中国本土闪存企业长江存储的发展势头非常强劲，在 232 层阶段受到美国的制裁，随后联合国产供应链体系成功突破制裁，实现了 232 层闪存芯片的量产商用，并且开始少量供应 294 层（2YY）闪存芯片，还在推进 300 层以上的技术研发工作。

西方实施的出口管制政策，按理说针对的是中国本土企业，但如今不但没能压制住中国企业的技术发展，反而还影响了韩国存储芯片的产能建设。

美国实施的对华出口管制，要求任何含有美国技术的半导体制造设备，如果要出口到中国大陆地区用于生产先进的半导体芯片，都需要获得许可证。

这也就意味着，即便三星和 SK 海力士是韩国企业，只要它们在中国工厂想引入美国设备来制造最新水平的技术产品，就必须向美国部门提出申请。

如今的禁令只是允许韩国企业继续运营在华工厂，但是不允许采购先进设备来进行技术升级或产能扩产。

换句话说，三星西安工厂和 SK 海力士大连工厂要想从如今的 200 层和 192 层升级到更加先进的水平，不仅要证明自己没有进行扩产，还要说服对方这是一次 " 合规的现代化改造 "。

韩国存储企业在华发展所面临的困难很大，一边受到出口管制影响无法获得先进设备提升技术，另一边还要面对中国品牌的规模压力，这并不是韩国企业愿意接受的局面，但它们别无选择。

大部分先进半导体设备仍然掌握在美国及其盟友手中，除非自行研制，否则无法摆脱出口管制的限制。