国家知识产权局信息显示，中芯南方集成电路制造有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 半导体结构及形成半导体结构的方法 " 的专利，公开号 CN122970952A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体结构及形成半导体结构的方法，该半导体结构包括衬底和包含碳纳米管的鳍结构，该鳍结构位于衬底上且沿第一方向延伸，鳍结构包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，第一材料层的表面润湿性与碳纳米管的表面润湿性相一致，第二材料层的的表面润湿性与第一材料层的表面润湿性不同，其中，第一材料层的两侧面形成有沿第二方向延伸的凹槽，且碳纳米管位于凹槽中，从而该半导体结构在垂直方向上通过鳍结构中的凹槽来承接碳纳米管，使得基于该半导体结构的碳纳米管场效应晶体管，其电流可以由垂直高度来决定，可以在具有超高器件集成度的同时还具有超高晶体管驱动电流，适合在晶体管尺寸微缩到纳米尺度下的超高集成度器件的电流提升。

天眼查资料显示，中芯南方集成电路制造有限公司，成立于 2016 年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本 650000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯南方集成电路制造有限公司参与招投标项目 161 次，财产线索方面有商标信息 3 条，专利信息 135 条，此外企业还拥有行政许可 459 个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 128 次，财产线索方面有商标信息 231 条，专利信息 15110 条，此外企业还拥有行政许可 486 个。

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作者：情报员