（来源：电子技术应用 ChinaAET）

11 月 1 日，总投资 102 亿元的光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期正式开工。

从建设内容看，项目总用地面积约 3.5 万平方米，规划总建筑面积 16.63 万平方米，将建设两栋高等级洁净厂房、一栋智能化仓储物流中心、一栋高能效厂务动力站房、一栋员工中心及其他附属设施，员工宿舍等生活配套同步建设。项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。建成后，该产业基地总建筑面积将达到近 37 万平方米。

产品布局上，项目规划覆盖 800G 至 12.8T 高速光模块 / 光引擎、320 × 320 端口光线路交换（OCS）、32 维波长选择开关（WSS）等新一代全光通信及光互连产品，满产年产能达千万只级别。建设工期 14 个月，计划 2027 年底完成竣工验收，并同步推进设备安装调试和产能释放。项目将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO 光引擎、全光交换等前沿方向开展攻关，打通 " 开发—验证—量产 " 全链条。

光迅科技董事长黄宣泽在致辞中表示，公司因光而生、伴光成长，五十年来研制出国内第一支长波长半导体激光器、国内第一台掺铒光纤放大器，发布全球首款 6.4T NPO 光模块。研发及生产场地从最初的 2000 平方米扩展到 30 多万平方米，营业收入从几十万元站上百亿元台阶。