《科创板日报》5 日讯，近日，浙江华辰芯光技术有限公司（下称 " 华辰芯光 "）完成 B+ 轮超亿元融资，投资方为同创伟业、智造安合、静水湖创投。

本轮融资资金将主要用于多系列量产芯片的可靠性测试能力建设、产能扩充及新一代产品研发。

华辰芯光 2026 年内已顺利完成两轮融资，短短数月之内连续两轮超亿元融资落定，其中同创伟业对本轮进行了追资。

根据财联社创投通—执中数据，以 2026 年 11 月为预测基准时间，浙江华辰芯光技术有限公司后续 2 年的融资预测概率为 87.99%。

华辰芯光成立于 2021 年，总部位于浙江省绍兴市柯桥区，是一家致力于高可靠半导体激光器芯片研发制造的 IDM 模式高科技企业。

核心团队来自海外顶级光芯片企业，汇聚 GaAs、InP 领域全球专家，具备十年以上激光芯片研发及制造工艺积累，覆盖芯片设计、外延生长、FAB 工艺、封测及可靠性验证全链条能力。公司创立旨在解决国内高端半导体激光芯片国产化率极低、关键元件依赖进口的挑战。

早期突破 WXP 高可靠激光腔面钝化技术，光学灾变损伤阈值提升 500% 以上。当前核心产品 Nova 系列 1000mW 单模 980nm 泵浦激光芯片实现 -45 ° C~85 ° C 宽温稳定输出，光电转换效率达 55%，无扭折功率突破 1200mW，通过 GR-468 可靠性验证。同步布局面向 CPO 的超大功率 InP CW 激光芯片。

已成为全球极少数能够批量生产高端 980nm 泵浦激光芯片的企业，性能对标海外头部供应商主流产品。工程样品已向特定客户开放申请，量产供货进入倒计时。产品在无锡、衢州、武汉等地建有全流程制造及封测基地，广泛应用于光纤通信、数据通信、卫星通信及量子计算等领域。

高可靠半导体激光器芯片技术路线尚未收敛，硅光集成渗透加速与上游供应链波动风险并存。

竞争格局方面，长光华芯已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理 / 镀膜、封装测试、光纤耦合等 IDM 全流程工艺平台和 2 吋、3 吋、6 吋量产线；推出 9XXnm50W 高功率半导体激光芯片，现已实现大批量生产、出货；建立了高效率 VCSEL 激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台。仕佳光子数据中心用硅光配套非控温 100mW CW DFB 激光器实现批量出货，商温 400mW CW DFB 激光器小批量出货；有源的 400G/800G 相关产品已送样验证。源杰科技大功率 CW 硅光光源持续大批量交付，100G PAM4 EML 激光器开始批量出货；当前主要出货数据中心用 CW 激光器（70mW、100mW）及 100G EML 产品。

政策情况方面，北京市人民政府印发《北京市 " 十五五 " 时期数字经济发展规划》，指出攻关掌握存算一体芯片、硅基光电子、先进封装与芯粒 ( Chiplet ) 、高性能光互联等前沿芯片技术。

市场空间方面，LightCounting 在 2026 年 6 月发布的报告中指出，2026 年基于硅光的光模块销售额将首次超过整体市场的 50%。

行业趋势方面，招商证券 ( 香港 ) 指出，可插拔、NPO、CPO 与芯片级光 I/O 将按场景长期共存，最终路线尚未收敛；微环与 MicroLED 路线成熟度尚待验证，光源与调制路线尚未收敛（EML、CW 光源加硅光、微环、MicroLED）。国联民生指出，硅光集成方案相对优势逐渐放大，有望推进渗透率提升；随着光模块速率和集成度持续提升，通道数量增加以及高速调制需求不断提高，两种架构在光源配置、制造扩展性和封装复杂度方面的差异逐步放大。

行业风险方面，华福证券指出，800G/1.6T 光模块需求及 AI 数据中心资本开支不及预期；200G EML 等高速磷化铟光芯片客户验证进度不及预期；国内磷化铟晶片扩产及良率爬坡不及预期；海外磷化铟供应商新增产能释放速度快于预期；精铟、高纯红磷等上游原材料价格大幅波动；硅光、薄膜铌酸锂等技术路线演进及 CPO 渗透节奏快于预期。