过去，EUV 光刻机一直是台积电、Intel 等先进逻辑晶圆厂商争相采购的核心设备。不过，这一局面正在发生变化。随着 DRAM 制程不断微缩，存储厂商也开始加入 EUV 采购大军。从南亚科、华邦电子，到三星、SK 海力士，越来越多 DRAM 厂商正在加快 EUV 布局。
这背后的原因并不复杂。过去 DRAM 制造主要依靠传统光刻技术，但随着制程进入更先进的世代，传统光刻工艺需要通过更多次曝光来实现更精细的电路图形，制造复杂度和成本也随之增加。EUV 能够减少多重曝光的使用，在先进 DRAM 制造中的价值越来越突出。尤其是随着 HBM 和高性能 DRAM 需求增长，存储厂商也需要通过先进制程提高产品竞争力。
问题是，EUV 光刻机目前只有 ASML 一家能够供应。过去主要由先进逻辑晶圆厂商争夺的设备，现在又迎来了 DRAM 厂商这一批新买家。ASML 已经表示，2027 年至 2028 年的设备供应量可能无法满足客户需求，这场围绕 EUV 光刻机的争夺，显然还会继续升温。
南亚科、华邦电子开始布局 EUV
先来看台湾 DRAM 厂商。南亚科和华邦电子虽然在规模上无法与三星、SK 海力士和美光相比，但两家公司都已经开始为 EUV 导入做准备。这也说明，EUV 正在从少数头部存储企业的先进制程工具，逐渐成为更多 DRAM 厂商未来技术路线中的重要组成部分。
南亚科此次的动作尤其大。根据报道，公司计划在 2026 年至 2029 年期间，为新建 DRAM 工厂 Fab 5A 投入约 3466 亿新台币，折合约 107 亿美元。这是南亚科成立以来规模最大的投资项目之一，也是台湾 DRAM 产业近年来规模较大的单一投资计划。新厂的主要任务，是推动先进 DRAM 制程发展，并逐步导入 EUV 设备。
按照南亚科的规划，Fab 5A 将围绕 1B、1C、1D 和 1E 等制程世代展开建设。目前，公司 1C 制程已经进入试产阶段，1D 制程开发也接近最后阶段。新厂预计从 2027 年下半年开始生产晶圆，2028 年月产能达到 3 万片，2029 年进一步提升，最终目标是达到每月 4.5 万片。对于南亚科来说，这次扩产不仅是增加晶圆产能，更重要的是借助新厂完成制程升级，提升在 DDR5 等产品市场中的竞争力。
华邦电子的 EUV 导入时间表则相对靠后，但相关准备已经开始。根据 MoneyDJ 报道，华邦电子总经理陈沛铭表示，公司 14nm 制程将分为两个技术世代，其中一个不使用 EUV，另一个则会导入 EUV。如果研发进展顺利，预计 2030 年正式导入。
值得注意的是，华邦电子与 ASML 围绕 EUV 的合作已经持续约三年半，公司已经派员前往 ASML 接受培训，并进行设备试跑和量测。陈沛铭还透露，ASML 承诺首台 EUV 设备大约两年后可以交付，而后续设备按照目前的交期则需要约三年半。换句话说，华邦电子虽然将 EUV 正式导入时间放在 2030 年，但设备采购、人员培训以及工艺准备都需要提前进行。
与此同时，华邦电子也在推进高雄厂扩建。公司此前通过了 700 多亿元新台币的相关投资，用于 Module B 厂房土建、机电设施以及部分长交期设备采购。对于华邦电子这样的存储厂商而言，先进制程升级并不是单纯购买一台光刻机就能完成，还需要配套厂房、生产设备和工艺开发。EUV 导入周期较长，也意味着企业必须提前安排投资。
三星、SK 海力士加紧采购，EUV 设备交期越来越紧张
如果说南亚科和华邦电子代表的是 EUV 应用范围进一步扩大，那么三星和 SK 海力士则是这轮设备争夺中最重要的采购力量。两家韩国存储巨头正在加大 EUV 设备采购力度，背后是先进 DRAM 制程升级以及未来产能扩张的双重需求。
据韩国《朝鲜经济》11 月 8 日报道，三星电子与 SK 海力士正在加紧向 ASML 订购 EUV 光刻机，两家企业各自涉及的投资规模达到 10 万亿至 20 万亿韩元。SK 海力士此前在今年 3 月已经披露，将采购价值约 11.95 万亿韩元的 EUV 设备，交付期限为 2027 年 12 月 31 日。由于关键设备供应趋紧，部分设备的交付周期最长已经达到此前的两倍，两家公司也在考虑提前下单，并根据实际需求追加采购。
三星的设备需求与平泽园区扩建计划密切相关。三星此前公布了未来五年在韩国投资 450 万亿韩元的计划，其中包括平泽园区第五生产线（P5），目标是在 2028 年开始运营。据报道，P5 单座厂房的投资规模超过 60 万亿韩元，第一阶段洁净室预计在 2027 年上半年完成。随着厂房建设推进，后续设备搬入也将逐步展开，EUV 光刻机自然是其中的重要设备。
三星和 SK 海力士为什么如此重视 EUV？一个很直接的原因是，先进 DRAM 制程对 EUV 的依赖程度正在提高。以 SK 海力士的 1c DRAM 为例，TrendForce 此前指出，该公司计划在这一代产品中使用 5 层以上 EUV 工艺，比上一代增加约 2 层。随着制程继续微缩，EUV 应用层数增加，意味着同样规模的 DRAM 产能，也可能需要配置更多 EUV 设备。
这也是存储厂商现在需要提前锁定设备的原因。DRAM 制造并不是等到新厂建好之后再采购设备，光刻机的交付、安装、调试以及工艺验证都需要相当长的时间。如果设备无法按计划到位，整个新厂的投产节奏都可能受到影响。对于正在推进下一代 DRAM 和 HBM 产品的三星、SK 海力士来说，设备供应已经成为产能规划中必须考虑的因素。
而 ASML 的产能扩张，目前还无法完全满足市场需求。公司在第三季度业绩说明中表示，2027 年至 2028 年的 EUV 设备供应量可能都无法满足客户需求。今年 ASML 预计出货约 65 台 EUV 设备，相比去年的 44 台增长接近 50%。即便公司计划在 2027 年将产能提高 30%，并研究在 2028 年进一步增加 30% 的产能，仍然难以完全覆盖客户需求。
这意味着，EUV 设备市场的竞争正在进入一个新的阶段。过去，台积电、Intel 等先进逻辑晶圆厂商是 EUV 采购的主要力量，如今 DRAM 厂商也在加大投入，南亚科、华邦电子这样的企业甚至已经开始为未来数年的 EUV 导入做准备。对于 ASML 而言，存储市场无疑提供了新的需求来源；但对于芯片制造商来说，能否提前获得设备，可能直接影响下一代制程的推进速度。
EUV 光刻机，已经不只是逻辑芯片厂商的必争之地，DRAM 厂商也加入了这场争夺。
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