据报道，三星电子与 SK 海力士正竞争性下单采购极紫外（EUV）光刻机，两家的投入规模均在 10 万亿至 20 万亿韩元区间。阿斯麦（ASML）已明确 2027 – 2028 年 EUV 设备供给缺口，能否锁定交付排期，成为两家扩产先进 DRAM 的核心。

据悉，两家企业计划从明年起分批接收阿斯麦的 EUV 设备。SK 海力士曾在 3 月披露，将采购价值约 11.95 万亿韩元的 EUV 设备，交付截止日为 2027 年 12 月 31 日。受供给紧张影响，核心设备交付周期已经拉长至原先最长周期的两倍，两家企业正考虑提前下单；后续还视情况追加订单，资本开支进一步上行的可能性抬升。

三星电子同步加码订单，匹配其平泽基地投资节奏。去年 11 月，三星公布五年 450 万亿韩元本土投资方案，其中包含平泽 P5 产线，目标 2028 年投产。据悉单座 P5 晶圆厂投资规模超 60 万亿韩元。行业预期，P5 一期洁净室工程于明年上半年完工后，设备将陆续进场；三星已经为这条产线下单光刻设备。

EUV 光刻机依靠 13.5 纳米波长光源刻蚀电路，可以减少过去依靠多次曝光拆分图形、提升精度与良率的多重图形化工序。对于 10nm 级第六代（1c）这类先进 DRAM，随着电路间距持续缩小，采用 EUV 的工艺层数不断增加。集邦咨询（TrendForce）称，SK 海力士计划在 1c DRAM 上超过 5 层工艺使用 EUV，较上一代增加两层。

阿斯麦在今年三季报中表示，当前规划下 2027 – 2028 年 EUV 供给无法满足客户需求。今年 EUV 出货量约 65 台，较去年 44 台增长近 50%；但即便 2027 年产能提升 30%、2028 年再规划扩产 30%，供给依旧不足。核心产品涨价的影响将于明年逐步体现，2028 年充分显现；今年三季度，存储客户已经占到阿斯麦整机销售额的 46%。

依托 EUV 设备的下一代 DRAM 量产工艺已取得一定程度稳定。三星早在 2020 年 3 月出货业内首款采用 EUV 的 DRAM 模组，积累相关工艺经验，目前是存储行业拥有 EUV 设备数量最多的厂商。SK 海力士 2021 年 2 月在利川 M16 工厂落地首台 EUV 设备，并于去年 9 月引入业内首台高数值孔径（High-NA）EUV 量产机台。三星在 9 月 8 日宣布扩大和阿斯麦合作，计划 2028 年把 High-NA EUV 导入 DRAM 量产。

与此同时，后端设备厂商订单储备已经排满两至三年。业内消息称，韩美半导体（HANMI Semiconductor）、安靠（Amkor）订单储备基本到位。两家正在扩产 AI 数据中心所需的关键工艺设备，包括热压键合机（TC bonder）。一名半导体行业人士表示："AI 数据中心芯片，不只是先进前段工艺重要；为实现大容量、高性能，对单颗芯片做多维度封装互联的后端工序价值持续提升。随着生态成型，韩美半导体、安靠也和前段大厂的景气周期深度绑定。"