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华邦电子规划引入EUV设备 目标2030年落地14nm DRAM
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快科技 11 月 11 日消息,据 TrendForce 报道,华邦电子正在积极推进其 DRAM 和 NOR Flash 技术路线图,计划引入 EUV 光刻技术。

华邦电子总经理陈沛铭透露,目前正在开发两代 14nm DRAM 工艺,是否采用 EUV 光刻技术是两者的主要区别之一,加入 EUV 的产品目标 2030 年推出。

陈沛铭表示,EUV 可以减少生产步骤,从而缩短加工时间,并提高良品率。华邦电子与 ASML 在 EUV 方面展开合作已有三年半,正派遣员工赴 ASML 接受培训,为后续引入 EUV 光刻技术做好准备。

ASML 承诺首个 EUV 光刻系统交付时间大概在两年内,后续系统根据当前交货周期预计需要等三年半。

更长的设备交货周期也影响了华邦电子的扩张计划。陈沛铭称,部分设备交货时间已经超过两年,使得华邦电子不得不提前很长时间下单。

华邦电子计划今年 12 月开始在中国台湾高雄建造新工厂,预计 2029 年投入运营,2030 年实现大规模生产。

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责任编辑:鹿角

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