离子注入设备业务在 2026 年首次贡献收入。
作者 | 崔嫄伟
编辑 | 陈骏达
芯东西 11 月 11 日报道，11 月 10 日，山东青岛半导体设备厂商思锐智能科创板 IPO 申请获受理。
思锐智能成立于 2018 年，主要从事半导体前道工艺设备的研发、生产与销售，其产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备，广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等领域。
QYResearch 的数据显示，2025 年，思锐智能 ALD 设备在化合物半导体领域的市场占有率排名全球第三、国产厂商第一，市场份额为12.01%；在显示器件和科研领域的市场占有率均排名全球第一。
该公司客户涵盖半导体制造、显示面板及设备零部件等领域，目前思锐智能的客户包含江苏 8 英寸硅基氮化镓 IDM 厂商英诺赛科、全球显示面板龙头京东方和辽宁半导体设备精密零部件厂商富创精密等国内知名企业，同时还包括比利时微电子研究中心IMEC、清华大学、北京大学等科研机构。
其官网显示，思锐智能已获评国家级专精特新 "小巨人" 企业。
在募资用途方面，思锐智能拟募集资金20 亿元，其中 10 亿元用于半导体先进装备研发制造中心项目，6 亿元用于高端半导体装备研发项目，另有 4 亿元用于补充流动资金。研发项目将重点围绕超高能离子注入设备、氢及氦离子注入设备、面向集成电路的 ALD 设备及关键零部件展开。
01.
连续三年亏损
离子注入设备在今年首次贡献营收
2023 年、2024 年、2025 年和 2026 年 1-6 月，该公司分别实现营业收入约 3.49 亿元、3.63 亿元、4.95 亿元和 1.90 亿元；净利润分别约为 -3.04 亿元、-2.71 亿元、-2.67 亿元和 -2.31 亿元；研发费用分别为 1.45 亿元、1.93 亿元、2.33 亿元和 1.16 亿元。
▲思锐智能营收、净利润、研发费用变化趋势（芯东西制图）
思锐智能近三年营收一直保持增长趋势，但其仍未摆脱亏损，今年仅 6 个月时间，亏损就已接近 2025 年全年亏损水平。
该公司认为其尚未盈利主要有三方面原因：其一是目前思锐智能主营业务仍处于发展阶段，收入未达规模化；其二是该公司的主要产品 ALD 设备和 IMP 设备技术门槛高，研发投入需要一定的时间；其三是该公司以中国和芬兰两地为制造中心开展全球化经营，人才队伍搭建、产能建设、供应链国产化验证等工作都需要进行前期投入。
分业务结构来看，ALD 设备业务是思锐智能一直以来的收入支柱。2023 年至 2025 年，该业务收入占比均超过84%，2025 年更是达到 88.32%。而 IMP 设备业务在 2026 年首次贡献收入，2026 年上半年该业务收入为 5075.35 万元，占当期主营业务收入的27.16%。
IMP 设备业务虽然在今年才实现收入，但首年收入占比便超过 25%，展现出较强的增长潜力。
对比同行业可比公司截止 2025 年末的资产规模及 2025 年度经营指标来看，思锐智能在总资产、营收、净利润方面还有较大的提升空间，但该公司持续保持较大规模的研发投入，2025 年研发占比为47.08%，处于各公司的高位水平。
从盈利能力来看，2023 年、2024 年、2025 年、2026 年 1-6 月，思锐智能的毛利率分别为 33.98%、41.43%、39.02% 和 22.13%。其中，备品备件及技术服务业务的毛利率相对较高。
与同行业可比公司相比，除 2025 年外，思锐智能在其余报告期内的主营业务毛利率均低于同行业可比公司平均水平。
02.
布局面向 12 英寸晶圆的空间型原子层沉积设备
已获授权专利 392 项
ALD 业务是思锐智能较早建立的业务，也是其目前在全球细分市场形成竞争优势的重要基础；IMP 业务则是该公司近年来重点拓展的方向，承担着进一步切入集成电路前道核心设备市场的任务。
ALD 技术主要通过不同前驱体气体在材料表面发生自限制反应，逐层形成薄膜。与传统沉积工艺相比，其优势在于能够精确控制薄膜厚度，并在复杂的三维结构表面实现均匀覆盖，因此广泛应用于半导体制造中的介质层、钝化层和阻挡层沉积等环节。
目前，思锐智能推出的 P800 型 ALD 设备已于 2025 年 8 月交付国内半导体制造头部客户；此外，该公司还布局了面向 12 英寸晶圆的空间型 ALD 设备，通过优化气体输送系统和反应腔室设计，提升薄膜沉积效率及工艺稳定性。
▲ ALD 设备 P 系列
值得关注的是，思锐智能近期正将 ALD 技术从传统半导体制造拓展至 MicroLED 和 AR 光波导等新型显示及光学领域。目前，该公司面向光波导的 8 英寸量产设备已实现客户交付，12 英寸设备仍处于研发验证阶段。
离子注入是半导体制造中的关键工艺，主要通过将硼、磷、砷等元素电离并加速，使其进入晶圆内部，从而改变半导体材料的导电性质，形成晶体管等器件所需的不同掺杂区域。离子注入设备的能量、剂量和束流均匀性直接影响芯片性能及制造良率。
思锐智能围绕高能离子注入机，逐步建立相关技术能力。该公司目前已形成涵盖高能、中能、大束流以及 SiC 专用机型的产品布局，应用范围涉及逻辑芯片、存储芯片、图像传感器和功率半导体等领域。
▲ IMP 设备高能系列
从产业化进展来看，该公司在 2023 年推出高能离子注入设备，随后推进客户产线验证。2026 年，其 SRII-8M 高能离子注入机和 SRII-60 大束流离子注入机相继交付国内集成电路头部客户，意味着其产品布局开始从单一机型向不同工艺场景延伸。
研发方面，截至 2026 年 6 月末，思锐智能拥有研发人员232 人，占员工总数的29.37%。同期，该公司已获授权专利392项，其中境内专利 111 项、境外专利 281 项，发明专利 355 项，占授权专利总数的 90.56%。
03.
今年前半年前五大客户收入占比为 58.84%
清华、北大也是其客户
招股书披露，2023 年至 2025 年，思锐智能前五大客户全部采购 ALD 设备。2026 年上半年，随着前期交付的离子注入设备陆续通过客户验证，离子注入设备开始确认收入，客户 Q 和客户 O 进入前五大客户，分别位列第一和第三。
同时，该公司前五大客户的收入占比整体呈上升趋势，客户集中度有所提高。前大五客户收入占比从 2023 年的 29.97% 升至 2026 年上半年的58.84%。
值得注意的是，思锐智能的客户覆盖了多家半导体产业链知名企业和科研机构。招股书明确披露的客户包括英诺赛科、京东方、视涯科技、苏州晶湛半导体、富创精密等以及比利时微电子研究中心 IMEC、法国原子能和替代能源委员会 CEA、北京大学、清华大学和麻省理工学院 MIT 等。
思锐智能采购的原材料主要包括机械类、电子电气类、真空系统类、传输系统类、流体系统类和仪器仪表类。其中，机械加工件、钣金件，电源及控制模块，真空泵、真空阀，以及机械手和晶圆传输系统等，均是设备生产所需的重要组成部分。
该公司前五大供应商采购占比从 2023 年的 31.02% 降至 2025 年的 18.22%，2026 年上半年回升至 21.91%，但整体仍处于相对分散的水平。招股书称，思锐智能不存在向单个供应商采购比例超过采购总额 50% 或严重依赖少数供应商的情形。
同时，招股书还披露了报告期内既是客户又是供应商的企业，主要包括富创精密和 IMEC。
思锐智能向富创精密销售 ALD 设备、备品备件及技术服务，主要用于其精密零部件镀膜工艺；同时，思锐智能也向富创精密采购设备制造所需的机械类零部件。双方既存在设备销售关系，也存在零部件采购关系。
而 IMEC 是全球领先的纳米电子和数字技术研发与创新中心。思锐智能向其销售 ALD 设备、备品备件及技术服务，主要用于科研活动；与此同时，思锐智能也向 IMEC 采购产业联盟会员服务及相关培训服务。
04.
清华硕士任董事长
无控股股东
思锐智能前身为青岛四方思锐智能技术有限公司，成立于 2018 年 1 月，初始注册资本为3 亿元，由华舆国华和中车青岛四方车辆研究所两家股东共同出资。
该公司董事长兼总经理聂翔，拥有清华大学工商管理硕士学位。2000 年 7 月至 2021 年 12 月，他就职于中车四方所，并从助理经济师升任至董事；2018 年 1 月至 2021 年 12 月，他进入思锐智能管理团队，任该公司董事、总经理；2021 年 12 月至今，他升任为董事长。
▲思锐智能董事长兼总经理聂翔
报告期各期，思锐智能董事、报告期内曾任监事、高级管理人员及核心技术人员的税前薪酬总额（含股份支付）分别为 1968.22 万元、2447.08 万元、2532.57 万元和 1220.63 万元。
招股书披露了思锐智能多轮增资以及股权转让，除初始的两家股东之外，其股东还包括瑞元君和等员工持股平台（董事长聂翔伟实际控制人）、国开转型、华與高新、华與科创等。
思锐智能目前无控股股东和实际控制人。发行前，中车四方所、华舆国华持股比例分别为 16.15%、15.30%，为该公司第一、第二大股东。
05.
结语：AI 算力需求升温
国产半导体设备迎来新机遇
半导体设备研发具有投入大、周期长、客户验证难等特点，从核心技术突破到产线验证和规模化交付，往往需要持续投入大量资金与研发资源。
随着 AI 算力需求增长，先进逻辑芯片和高带宽存储器产能扩张，也将带动 ALD 薄膜沉积、离子注入等前道设备需求。对于思锐智能而言，AI 芯片及先进存储产业链的扩张，既为其现有产品带来新的市场空间，也为其进一步拓展高端半导体设备业务提供了机会。