据格隆汇梳理，美银美林 Simon Woo 于 2026 年 11 月 13 日发布报告，认为 NAND 现货价格下行压力加剧、1Q27 平均售价预计环比低个位数下调，与市场预期继续上涨显著背离，而 DRAM 涨价趋势则维持到 1Q27。

核心判断逻辑： NAND 现货价格自 10 月中旬至下旬已下跌超 20%，PC 和智能手机 OEM 及中国超大规模云厂商订单走弱，1Q27 合约价格谈判可能被推迟、缺乏急单。尽管厂商持续强调企业级 eSSD 需求强劲可部分抵消 IT NAND 疲软，但占全球总晶圆产能 20-30% 的老旧晶圆厂并不适合高端 NAND/eSSD，将继续用于 IT NAND，因此美银假设 1Q27 整体 NAND 平均售价环比低个位数下降（4Q26 仍为环比 +3%）：IT NAND 价格预计环比下跌 5-10%，企业级应用基本持平或小幅上涨，大容量 NAND 和 eSSD 每比特价格小幅下调属厂商对 QLC 产品的主动促销。这一判断与市场普遍预期的 NAND ASP 仍上涨 10% 左右存在明显差异。

DRAM 方面，美银仍假设 4Q26 平均售价环比 +8%、1Q27 环比 +5%。三星投资者会议显示，美国 AIDC 芯片需求强劲、无订单削减，HBM 市场领导地位较一年前大幅改善，DRAM 长期协议强劲上升；但管理层对 HBM 目标并不激进、采取自律策略，份额最多做到与 DRAM 相当（高 30% 或 40%），因 LPDDR5 到 2027 年底仍比 HBM 更有利可图，2027 年合约价格涨幅可能不及 TrendForce 预期。

关键数据： 本周 512Gb NAND 现货下跌超 10%、1Tb NAND 下跌近中个位数，16Gb DDR5 现货价格稳定。DRAM 现货与合约价格年初至今上涨 100% 以上，合约价甚至上涨 100-200%；16Gb DDR5 现货价 10 月底创约 61 美元纪录后目前约 60 美元。DRAM 合约价 10 月环比 +5%，无下调迹象。8Gb DDR4 现货价 11 月上半月创 47 美元历史新高后小幅回调。NAND 晶圆现货价格 10 月下跌 13%、11 月上半月下跌 15%。多数 DRAM 股票估值处 2026-27 年盈利的 3-5 倍，远低于 AI 半导体同行。

风险提示： 11 月 /12 月 DRAM 合约价存在下行风险；NAND 短期面临需求疲软和现货价格调整。

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