$ 三安光电 ( SH600703 ) $  

数据区分官方公告规划总投资、已落地实际投入，剔除传统 LED 主业，聚焦 GaAs/GaN/SiC/InP 等化合物半导体核心赛道，口径以上市公司公告、地方招商公示、行业调研纪要为准。

公告总投资：333 亿元（含 GaN 射频、砷化镓、光通讯器件、功率半导体、特种封装，混合部分 LED 配套产能）

截至 2023 年底累计已完成投资：约 285 亿元

其中化合物半导体专项拆分：

GaN 氮化镓射频 / 功率器件：专项规划约 35 亿元

磷化铟光芯片板块：规划总投入 50 亿元（含外延、芯片、封测全链条）

公告总投资：160 亿元（6/8 英寸 SiC 衬底、外延、芯片、封测 IDM 一体化）

二期 8 英寸产线追加投资：80 亿元，2025 年实现通线量产

截至 2025 年累计实际投入：超 185 亿元

1）重庆安意法半导体（与意法半导体合资，三安持股 51%）

总投资：230 亿元（32 亿美元），国内首条 8 英寸车规级 SiC 芯片产线，规划年产 48 万片晶圆

2）重庆三安半导体（独资，为安意法配套 SiC 衬底）

总投资：70 亿元，8 英寸衬底专用产线

苏州斯科 SiC 项目（与理想汽车合资）：规划总投资约 30 亿元

湖北三安 Mini/Micro LED（含 GaN/GaAs 化合物芯片）：总投资 120 亿元，偏向新型显示，非纯功率 / 射频化合物半导体

厦门三安集成（早期化合物半导体代工平台）：初始投入约 30 亿元，2014 年落地，布局 GaAs/GaN 射频产线

规划总投资合计：湖南 160 亿 + 重庆合资 230 亿 + 重庆衬底 70 亿 + 苏州 30 亿 =490 亿元

截至 2026 年中已落地实际投入：约 220 亿元，剩余 240 亿元将在 2026 – 2028 年分期投入

泉州基地 GaN 射频、砷化镓功率器件：专项固投约 35 亿元

磷化铟（InP）高速光芯片全链条：规划总投资 50 亿元，已落地约 30 亿元，主要布局 6 英寸外延、芯片制造，配套 400G/800G/1.6T 光模块

薄膜铌酸锂光调制器：累计研发 + 产线投入约 20 亿元

纯第三代化合物半导体（SiC+GaN+ 光芯片）规划总盘子：490（SiC）+35（GaN）+50（光芯片）+20（铌酸锂）≈ 595 亿元

含泉州综合园区、湖北显示项目的全口径签约规划：333（泉州）+160（湖南）+230（安意法）+70（重庆衬底）+120（湖北）≈ 913 亿元（市场网传千亿级投资为此口径，包含部分传统 LED 产能）

截至当前已实际投入资金：泉州 285 亿 + 湖南 185 亿 + 重庆项目首期投入 + 光芯片 30 亿≈ 520 亿元左右

注：以上不含后续 2026 年新披露的南京、常州等地磷化铟扩产项目；部分项目为分期投入，资本开支会逐年释放，实际现金流支出低于规划总额。

追加内容

本文作者可以追加内容哦 !

郑重声明：用户在社区发表的所有信息将由本网站记录保存，仅代表作者个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资建议，据此操作风险自担。请勿相信代客理财、免费荐股和炒股培训等宣传内容，远离非法证券活动。请勿添加发言用户的手机号码、公众号、微博、微信及 QQ 等信息，谨防上当受骗！

总收益	20 日收益	日收益
--	--	--

历史收益率走势 ( % )

Chart

郑重声明：东方财富网发布此信息的目的在于传播更多信息，与本站立场无关。东方财富网不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关信息并未经过本网站证实，不对您构成任何投资建议，据此操作，风险自担。