来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，陕西源杰半导体科技股份有限公司申请一项名为 " 一种具备功率监测的集成芯片及其制备方法 " 的专利。申请公布号为 CN122118513A，申请号为 CN202610576066.8，申请公布日期为 2026 年 5 月 29 日，申请日期为 2026 年 4 月 28 日，发明人侯慧慧、剌晓波、绳梦伟、李马惠、潘彦廷，专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司，专利代理师贺小停，分类号 H01S5/026、H01S5/028、H01S5/20、H01S5/10。

专利摘要显示，本申请涉及一种具备功率监测的集成芯片及其制备方法，属于光通信器件制造领域。所述集成芯片包括衬底层以及在所述衬底层上依次外延生长的多层半导体结构，所述多层半导体结构至少包括下限制层、有源层、上限制层和上接触层；其中，所述上接触层及其下方的部分层结构被刻蚀以在所述集成芯片上形成物理分隔的台面结构，在宽度方向上物理分隔出半导体激光器和半导体光探测器；所述半导体激光器被配置为在施加第一偏置电压时产生激光，所述半导体光探测器被配置为在施加第二偏置电压时将接收到的光信号转换为电信号。集成芯片具有无需外置光路即可实现功率监测、简化封装结构、降低成本并提高系统稳定性的优点。

源杰科技成立于 2013 年 1 月 28 日，于 2022 年 12 月 21 日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及陕西省。该公司是国内领先的光芯片供应商，专注于光芯片研发生产，技术实力强，具有较高投资价值。

源杰科技主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，所属概念板块包括 MSCI 中国、增持回购、沪股通。

2025 年，源杰科技营业收入 6.01 亿元，行业排名 13/18，远低于第一名 *ST 闻泰的 312.53 亿元和第二名士兰微的 130.52 亿元，行业平均数为 39.84 亿元，中位数为 13 亿元。主营业务中，数据中心类产品 3.93 亿元占比 65.39%，电信市场类产品 2.06 亿元占比 34.33%。净利润 1.91 亿元，行业排名 5/18，低于第一名扬杰科技的 12.45 亿元和第二名捷捷微电的 4.76 亿元，行业平均数为 - 3.38 亿元，中位数为 5933.85 万元。

陕西源杰半导体科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开 ( 公告 ) 号公开 ( 公告 ) 日期发明人 1 一种具备功率监测的集成芯片及其制备方法发明专利公布 CN202610576066.82026-04-28CN122118513A2026-05-29 侯慧慧、剌晓波、绳梦伟、李马惠、潘彦廷 2 一种具备功率监测的半导体光芯片及方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610497751.12026-04-15CN122051778A2026-05-15 曹凡、剌晓波、绳梦伟、李马惠、潘彦廷 3 单片集成光电探测的半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202511043218.X2025-07-28CN120566222A2025-08-29 绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮、梁亚星、魏来严、穆瑶 4 集成分支波导和光电二极管的半导体器件发明专利授权 CN202511043276.22025-07-28CN120566223B2026-03-13 绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮 5 一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202510615586.02025-05-14CN120127495B2025-08-01 绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮 6 一种光子集成芯片结构及其制作方法发明专利授权、公布 CN202411260880.62024-09-10CN118783230B2025-02-14 张振宁、杨舒涵、李马惠、穆瑶、魏来严 7 一种大功率抗反射半导体激光器发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 CN202410862794.62024-06-28CN118801210B2025-06-06 剌晓波、潘彦廷、曹凡、侯慧慧 8 一种高速电吸收调制激光器的封装结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202410827073.12024-06-25CN118970617A2024-11-15 张磊、李马惠、潘彦廷、刘钿、董延 9 一种非气密应用的半导体激光器发明专利授权、公布 CN202410819308.22024-06-24CN118748350B2025-02-25 陈发涛、潘彦廷、李马惠、党晓亮 10 一种电吸收调制激光器芯片实用新型授权 CN202321316552.42023-05-29CN219268130U2023-06-27 李马惠、穆瑶、任鹏强 11 一种具有抗反射功能的 EML 芯片结构及制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202210646936.62022-06-09CN114725772A2022-07-08 张海超、李马惠、师宇晨、穆瑶、王兴 12 一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202210498033.82022-05-09CN114865446B2023-03-21 李马惠、潘彦廷、穆瑶、师宇晨、张海超 13 波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202210067480.82022-01-20CN114540785B2022-12-02 张海超、师宇晨、穆瑶 14 一种铝量子阱激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202110628970.62021-06-07CN113078553B2021-08-13 张海超、穆瑶、师宇晨、李马惠、潘彦廷 15 激光器芯片及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202110258774.42021-03-10CN112636178B2021-06-01 张海超、潘彦廷、李马惠、穆瑶、董延、陈发涛、刘钿、曹凡、谷润妍 16 激光器芯片及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202110258344.22021-03-10CN112636180B2021-06-01 师宇晨、潘彦廷、李马惠、穆瑶、董延、陈发涛、刘钿、曹凡、谷润妍 17 半导体器件制备方法及半导体器件发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202011462122.42020-12-14CN112242433A2021-01-19 李马惠、宋晓栋、师宇晨、张海超 18 半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 CN202011462300.32020-12-14CN112234436B2021-03-09 董延、李马惠、潘彦廷、刘钿 19 半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 CN202011461680.92020-12-14CN112234435B2021-03-09 潘彦廷、靳晨星、刘钿、师宇晨 20 半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 CN202011461795.82020-12-14CN112217096B2021-03-09 潘彦廷、董延、刘钿、师宇晨