上周有报道称，SK 海力士正在准备大规模扩张 DRAM 产能。根据 SK 海力士与主要供应商分享计划，大概到 2030 年至 2031 年前后，SK 海力士将 DRAM 产能提升至几乎当前（每月约 55 万片晶圆）翻倍的水平，其中也包含了在无锡的产能（每月约 20 万片晶圆）。

据 TrendForce 报道，近日 SK 集团董事长崔泰源表态，称现在目标是到 2034 年整体晶圆产能提升至目前的三倍。崔泰源表示，SK 海力士的产能扩张时间线已经提前了大约十年，需求增长如此之快，即便产能再加速也可能会失效。

SK 海力士的扩建工程主要集中在韩国京畿道龙仁市的龙仁半导体集群，这是一个超大型半导体制造园区，首座晶圆厂计划 2027 年初投产。预计到 2030 年上半年能每月增加 36 万片晶圆，增强 SK 海力士对客户需求的响应能力。另外一项扩建工程位于韩国忠清北道清州市的 M15X，计划 2026 年下半年开始运营，初始产能为每月 4 万片晶圆，到 2027 年将进一步提升至 8 万片。

另外有消息指出，SK 海力士正在准备年底前开始 NAND 闪存的量产工作，目前已完成验证工作。一开始 SK 海力士打算提供超过 400 层的 NAND 闪存，但是受制于设备的制造难度问题，后来修订为 375 层，长期规划则是 480 层和 604 层。值得注意的是，SK 海力士还在 375 层结构上做出了关键设计调整，以钼（Mo）部分替代了之前使用的钨（W）作为字线金属栅极材料。

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