6 月 22 日，半导体设备巨头拓荆科技（SH688072，股价 748.01 元，市值 2114.57 亿元）披露公告，公司已完成 2025 年度向特定对象发行股票，实际发行 798.6 万股，发行价 576.01 元 / 股，募集资金总额 46 亿元，扣除发行费用后净额 45.58 亿元。发行对象共 12 家，包括易方达基金、国投集新基金等。

截至 6 月 22 日收盘，拓荆科技报收 748.01 元 / 股，即发行价约为收盘价的八成。

拓荆科技既是国内薄膜沉积设备龙头，也能提供混合键合设备。在 " 韬（τ）定律 " 提出后，混合键合设备作为实现三维制造的关键设备备受重视，而拓荆科技正是国内能够提供混合键合设备的厂商之一。不过，此次 46 亿元定增资金的使用上，拓荆科技并未提及混合键合。

定增募资 46 亿元

据悉，本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次发行的定价基准日为发行期首日，即 2026 年 6 月 9 日，发行价格不低于 488.07 元 / 股，即发行底价不低于定价基准日前 20 个交易日公司股票交易均价的 80%。本次发行价格为 576.01 元 / 股，与发行底价的比率为 118.02%。

也就是说，此次发行价较拓荆科技 6 月 22 日收盘价约八折，很大程度上是因为近期上市公司涨幅较大。尤其是韬定律发布之后，拓荆科技股价连续上涨。

西京研究院认为，逻辑折叠的工程实现路径是：将关键路径上的逻辑门（门电路与触发器级别）分布到上下两层有源硅片，通过 1.5 微米间距的混合键合（Hybrid Bonding）实现垂直互联，从而缩短关键路径的走线长度。论文披露的核心参数包括：混合键合间距 1.5 微米、套刻精度低于 0.5 微米、硅通孔（TSV）关键尺寸及隔离区小于 1.5 微米、硅通孔间距小于 6 微米、间距比（混合键合间距与顶层金属间距之比）约 2。

而拓荆科技表示，在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。

其认为，在 3D 封装、Chiplet（芯粒）、异质集成等领域，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混合键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，助力终端芯片产品实现性能跃升与尺寸微型化。

募投资金主要用于薄膜沉积

需要注意的是，尽管因混合键合设备而备受关注，拓荆科技当下 46 亿元募集资金，则主要用于薄膜沉积设备的产能建设以及前沿技术研发。

在 46 亿元资金使用上，15 亿元用于高端半导体设备产业化基地建设项目；20 亿元用于前沿技术研发中心建设项目；11 亿元用于补充流动资金。

其中，高端半导体设备产业化基地建设项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施，致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。

项目建成后，将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司 PECVD（等离子化学气相沉积）、SACVD（‌次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。

前沿技术研发中心建设项目方面，基于公司前沿技术战略布局，面向先进制程迭代与三维集成架构对高端半导体设备提出的技术需求，拟重点围绕 PECVD、ALD（原子层沉积）、沟槽填充 CVD 等工艺设备领域深耕，开展多项先进薄膜沉积工艺和设备的研发，并逐步突破其中的前沿核心技术，形成一系列具有自主知识产权、满足前沿技术应用需求的产品。

无论 PECVD、SACVD、HDPCVD，还是 ALD、沟槽填充 CVD，均属于薄膜沉积技术。也就是说，主要募集资金的使用上，拓荆科技未提及混合键合设备。