【CNMO 科技消息】7 月 30 日，三星电子在第二季度财报电话会议（Conference Call）上宣布，因尖端制程产能扩张速度已无法跟上市场需求，公司正在推进美国得克萨斯州泰勒半导体工厂的扩建计划，泰勒第二工厂（Taylor Fab 2）计划于今年年底前开工建设，目标 2030 年实现量产。

三星电子工厂

三星电子在财报会议上明确表示，泰勒第二工厂的建设正在筹备中。该工厂将于 2026 年年底前正式动工。从规模来看，泰勒第二工厂的预估占地面积将高达约 270 万平方英尺，与目前正在施工中的第一座工厂规模完全相同。泰勒第一工厂的建设也在按计划推进中。三星表示，第一工厂将于 2026 年内启动运营，并计划在工厂投产后逐步扩大 2 纳米工艺产能。

三星在泰勒的半导体园区已获得约 1268 英亩（513 公顷） 的土地，具备容纳最多 10 座先进晶圆厂的潜力。此前，三星已从美国政府获得 64 亿美元的芯片补贴。根据规划，三星在泰勒的整体投资预计到 2030 年将超过 400 亿美元。

三星集团

在更先进的制程布局方面，三星透露，1.4 纳米工艺已收到客户咨询且数量正在增加，公司正在探讨是否需要进一步扩充晶圆厂产能。三星表示，具体计划将基于客户订单情况和协商内容，分阶段逐步细化。在成熟制程方面，三星正将业务向高利润的 3 段工艺转换，并集中力量于技术壁垒较高的高附加值特殊工艺需求。

此前有报道称，三星已在 2026 年 7 月完成特斯拉 AI5 芯片的流片，采用 2 纳米工艺，接下来将在泰勒工厂进入量产准备阶段。泰勒工厂预计 2026 年底前完成首批晶圆流片，全面投产可能要到 2027 年初。

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