今年 2 月，三星 Galaxy S26 系列手机正式发布，推出了 Galaxy S26、S26+、S26 Ultra 几款新品。
现在，关于三星 Galaxy S26 FE 手机也出现了新消息。
最新的一份爆料中显示，三星 Galaxy S26 FE 手机有望在 9 月 1 日发布，且相关的产品定价信息也出现了曝光。
按照爆料中的说法，三星 Galaxy S26 FE，128GB 版本或售 799 欧元（约合人民币 6187 元）、256GB 或售 899 欧元（约合人民币 6961 元）、512GB 或售 1099 欧元（约合人民币 8510 元）。
目前，相关的产品细节规格信息也已经公布。
近日的一份消息中通过三星 Galaxy S26 FE 手机的认证信息确认其支持 45W 充电。同时，Galaxy S26 FE 已注册了 SM-S741W、SM-S741U1、SM-S741U、SM-S741B/DS、SM-S741B、SM-S741N 等多个型号。
与此同时，三星 Galaxy S26 FE 手机固件近日现身三星内部 OTA 服务器，编号为 S741NKSU0AZE5，对应的手机机型为 SM-S741。
这款新机已经现身了 GeekBench 跑分。其在 GeekBenc 6.2.2 版本中，单核成绩为 2426 分，多核成绩 8004 分。跑分列表显示，其搭载了 10 核 Exynos 2500 芯片，配备 8GB RAM 内存。
还有爆料中展示了 Galaxy S26 FE 的渲染图。
结合图片来看，全新的三星 Galaxy S26 FE 目测采用立边中框，结合垂直排列的镜头组件和平直背板设计，整体设计风格与 Galaxy S26 一致。
另外，最近几年，三星一直在推动自家 Exynos 芯片搭载到更多三星旗下产品中。在这样的规划下，三星 Exynos 芯片也在持续升级。
一份新消息中提到，三星自研 Exynos 2700 芯片主频可能突破 4.00GHz 频率门槛，目标峰值为 4.20GHz。
按照爆料中的说法，在三星 2nm GAA 工艺下，三星 Exynos 2600 芯片主频最高可以达到 3.9GHz。而三星在改善 SF2P 良率后，Exynos 2700 芯片的目标主核频率为 4.20GHz。
关于这颗芯片，以往的消息还显示，三星计划调整 Exynos 2700 芯片的封装方案，通过分离 DRAM 和 SoC 来改善散热。
消息称三星 Exynos 2700 芯片将会采用 SBS 封装方式，而苹果即将推出的 A20 Pro 芯片将采用 WMCM 封装方案，两者在实现方式上基本相同。结构方面，SBS 并排布局内存与 SoC，散热器直接覆盖在并排的 RAM 和 SoC 上方。这种结构能有效避免热量在内部聚集，从而实现更高效的散热表现。
同时，新架构还将显著提升内存性能。由于 RAM 与 SoC 的物理距离缩短，数据传输路径更加紧凑。据报告显示，这一设计有望将内存带宽提升 30% 至 40%。
与此同时，最近的一份消息中展示了三星最新 2nm 制程路线图。参考 IT 之家的消息来看，三星代工（Samsung Foundry）目前公布了至少 6 款 2nm 工艺：
SF2（第一代）：三星已经于 2025 年量产，首款采用该工艺的芯片是 Exynos 2600，装备在 Galaxy S26、Galaxy S26+ 和 Galaxy Z Flip8 机型上。
SF2P（第二代）：预估 2026 年晚些时候量产，首款采用该工艺的芯片是 Exynos 2700，预估装备在 Galaxy S27 和 Galaxy S27+ 手机上，能效要比 SF2 高 26%。
SF2P+（第三代）：预估 2027 年量产
SF2X（第四代）：主要优化 AI 算力和高性能计算，预估 2028 年量产，主要面向服务器和数据中心使用的 AI 加速器。
SF2A（专注于汽车领域）：于 2024 年发布，但未出现在 2026 年路线图中
SF2Z（采用背面供电网络 BSPDN 技术）：于 2024 年发布，但未出现在 2026 年路线图中
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