8 月 5 日，芯片板块延续修复反弹。半导体设备 ETF 招商（561980）开盘直线拉升，截至发文，其大幅上涨 5.13%。中微公司、中科飞测、寒武纪、华峰测控大涨超 6%，长川科技涨超 7%，拓荆科技、中芯国际、北方华创等多股涨超 4%。

数据显示，该 ETF 跟踪的中证半导指数在 7 月 28 日至 8 月 3 日累计下跌超 26%，短期急跌后多家权重股估值迅速回落 21%-29%。同时第一大权重中微公司预计 2026 年上半年归母净利润将同比增长 282%-311%，业绩基本面支撑强劲，板块配置价值或较前期 " 顶部过热 " 阶段明显回升。

消息面上，顶级行业盛会今日开幕。第 27 届电子封装技术国际会议（ICEPT 2026）于 8 月 5 日至 7 日举行，这是亚洲规模最大、学术水平和产业影响力兼具的电子封装领域国际盛会之一，将集中展示先进封装设备、材料、测试解决方案等前沿成果，催化效应不容小觑。

海外方面，8 月 4 日，SK 海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）的全球首个标准规范，谷歌与 Tenstorrent 也加入了 HBF 联盟。HBF 是定位于 HBM 与 SSD 之间的新型存储层级，兼具接近 HBM 的高速数据传输能力与 NAND 闪存的大容量可扩展性。业内分析认为，存储技术的代际革新，有望直接拉动先进封装、测试等设备需求。

此外，Counterpoint Research 8 月 4 日发布 2026 年第二季度全球 DRAM 市场报告，三星以 39% 份额重回榜首；SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%；美光以 25% 紧随其后。长鑫科技以 7% 的市占率稳居全球第四，第二季度营收同比增长 716%，成为全球增长最快的 DRAM 供应商。

据悉，长鑫科技 7 月 27 日登陆科创板后，扩产节奏明确—— 2026 年二季度已正式开启设备招投标，全年计划扩产 5 万至 6 万片晶圆，对应设备采购需求达 50 亿 -60 亿美元。存储产能扩张有望直接拉动刻蚀、薄膜沉积、测试等半导体设备需求。

据华鑫证券，目前长鑫存储 LPDDR6 芯片已基本完成研发验证阶段，接近正式量产，在三星、美光重心转向 HBM 期间紧抓 " 空窗期 " 机遇，预计 2028 年底长鑫全球 DRAM 产能占比有望提升至 17% 左右。

资料显示，半导体设备 ETF 招商（561980）跟踪中证半导指数，100% 聚焦中微公司、北方华创、拓荆科技、安集科技等设备材料龙头（80%）和寒武纪、海光信息、中芯国际 3 家设计 / 制造企业（20%），" 长鑫存储 " 概念含量近 60%。截至 7 月 31 日，该指数前十大集中度（80%）、近一年涨幅（142%）、2020 年至今涨幅（445%），在科创芯片、半导体材料设备等同类指数中均居第一。

（本文机构观点来自持牌证券机构，不构成任何投资建议，亦不代表平台观点，请投资人独立判断和决策。）