第三季度的全球内存涨价情况仍然严重。根据摩根士丹利的最新预测，2026 年第三季度，DDR4 等成熟 DRAM 的价格将上涨 50%，第四季度将再涨 10%。

摩根士丹利表示，成熟的 DRAM 和 NAND 芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向 HBM、DDR5 和更高层数的 NAND 闪存。

而新型 DDR5 芯片的零售价格也丝毫没有降温的迹象，据美国银行的数据，8 月，DDR5-5600/6400   24GB 的现货价格环比上涨了 8%，同比涨幅高达 483%。

大摩还强调，SLC NAND 闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨 50%。

HBM 消耗的硅晶圆数量大约是传统 DRAM 的三倍。这是因为其垂直堆叠的层结构，且由于每颗裸片都要内置成千上万个硅通孔 ( TSV ) 以及相应的禁布区，大大降低了有效存储阵列面积。

与此同时，人工智能行业对 HBM 的需求还在不断增长。瑞银最近预测，到 2027 年，仅英伟达一家就将消耗约 251 亿 GB 的 HBM，而整个行业需求总量约为 615 亿 GB。

这种情况下，DDR4、SLC NAND 和 NOR Flash 的新增供应非常有限。摩根士丹利指出，这导致成熟内存的长期合同较少，这实际上可能使供应商在短期拥有更大的定价权。

大摩因此上调了旺宏电子、华邦电子、力积电以及兆易创新的盈利预期，而台湾爱普科技仍然是大摩的首选股。