快科技 8 月 25 日消息，高盛 8 月 24 日发布的《中国半导体国产化进程持续推进》报告指出，中国先进芯片自主化正迎来关键拐点。随着国内晶圆代工厂快速扩产，中国 7 纳米及以下先进制程晶圆的供需缺口将从 2025 年的 92% 大幅收窄至 2035 年的 34%。

届时，中国先进制程晶圆月产能将达到 41 万片，而国内需求预计为 61.9 万片。

2025 年至 2035 年间，中国先进制程晶圆供给将以 46% 的年复合增长率扩张，远高于同期国内需求 17% 的增速。报告指出，中国芯片产量自给率在 2026 年 6 月已达约 70%，较 2010 年 1 月的 38% 提升近一倍。

但高盛也表示，若以产值衡量，自给率缺口仍远高于产量数据所呈现的程度。

中芯国际是此次产能扩张的主力。高盛模型假设，2026 年至 2031 年间，中芯国际每年将新增 3 万至 5 万片先进节点晶圆的月产能，之后至 2035 年每年再增加 2 万片。

大规模扩产将带动新一波半导体投资。高盛预测，中国芯片资本支出在 2020 年代将维持两位数年度增长，2030 年达 820 亿美元，较一年前的预测大幅上调 79%。

中国晶圆制造设备市场预计 2027 年达 530 亿美元，本土设备供应商市占率将从 2025 年的 26% 提高至 2028 年的 38%。

需要指出的是，良率是制约产能有效释放的关键瓶颈。高盛假设中芯国际先进制程良率将从 2026 年的 23% 提升至 2030 年的 50%，2035 年进一步升至 75%。

作为对比，台积电自 2018 年量产 7 纳米芯片以来，良率根据芯片设计和尺寸的不同已可超过 90%。

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