盖世汽车讯 据外媒报道，罗姆半导体（ROHM Semiconductor）宣布，已开发出第四代 650V IGBT，适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级 650V 产品，新款 IGBT 在 VCE ( sat ) =1.55V 时实现了同类领先的低导通损耗，同时具备高短路容差，并符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。

图片来源：罗姆

随着电动汽车向更高电压发展，碳化硅（SiC）在牵引逆变器等高功率应用中的应用日益广泛。与此同时，650V IGBT 也被广泛用作低功率辅助系统的开关器件，例如汽车电动压缩机和高压加热器。硅基 IGBT 也广泛应用于工业设备，特别是电机和压缩机，预计市场需求将持续增长。