看来 D5 3GB 颗粒快出了

在昨日举办的 2026 世界制造业大会上，我国存储芯片巨头长鑫存储（CXMT）正式宣布，其自主研发的第五代 DRAM（G5）技术平台已正式进入量产阶段。长鑫存储营销中心副总裁罗晓东在现场表示，公司目前的工艺能力已经达到与国际同行最先进量产节点相当的水平。

从关键的技术指标来看，长鑫存储在 G5 平台上将 DRAM 存储阵列的核心结构间距缩小到了 11.95 纳米，极大地提升了单位晶圆的存储密度。为了在现有的设备条件下实现如此精细的电路图案，长鑫存储采用了四重曝光（QTP）技术，并结合自主开发的计算机仿真模型以及与国产半导体设备厂商的深度合作，成功攻克了多项关键生产工艺。

制程工艺的突破之外，长鑫存储还在 G5 平台上集成了用于 DRAM 的 HKMG（高介电常数金属栅极）工艺，并将关键功能区的高度进一步缩减，电容长宽比达到了 45:1。这些技术演进使得单片晶圆在未剔除瑕疵芯片的前提下，单位产出（Gross Dies）相比上一代 G4 平台大幅提升了 50% 以上，显著降低了后续生产与制造成本。

伴随 G5 平台的正式量产，长鑫存储同步发布了两款全新的 24Gb LPDDR5X 低功耗内存芯片，并全面开启量产交付。

这两款芯片相比前代产品的存储容量提升了 50%，分别采用了 496 球和 245 球两种封装形态，能够灵活适配不同智能手机和平板电脑的板级设计需求。官方透露，这两款新一代 24Gb 颗粒已经成功打入多家国内主流品牌的新一代旗舰手机供应链。

除移动端低功耗存储产品外，长鑫存储正在加速拓展全线产品的研发与产能布局。公司此前已成功实现了下一代 LPDDR6 规格的风险量产与客户送样，同时位于北京的新基地也正规划引入 NAND 闪存生产线，为本土市场提供更加丰富和稳定的存储芯片供给。

截至目前，长鑫存储在合肥、北京等地建成多座 12 英寸晶圆厂，按出货量和销售额统计已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。2026 年上半年，长鑫科技实现营业收入 1503.10 亿元，同比增长 873.64%，归母净利润 776.05 亿元，同比扭亏为盈，主营业务毛利率大幅提升至 84.84%。

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