（来源：市场星报）

星报讯 9 月 20 日，长鑫存储在 2026 世界制造业大会上正式宣布第五代 DRAM 技术平台（以下简称 "G5 平台 "）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。

G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1。开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。  

本次大会同步展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。  

长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。