截至 14:11，中证半导体材料设备主题指数上涨 0.5%，上证科创板芯片指数下跌 0.1%。同花顺 iFinD 数据显示，截至昨日，半导体设备 ETF 易方达（159558）连续 2 日获资金净流入，合计超 4 亿元。

美银证券表示，2026 年三季度 DRAM 均价环比涨 20% 至 30%、NAND 涨超 15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定 2027 年一季度更高的 DRAM 价格。三星与 SK 海力士库存已降至不足 10 天用量，CSP（CSPI）、服务器与 PC 厂商普遍面临供给缺口、被迫以长约锁定供货。紧缺之下，原厂资本支出将较去年大幅增加、积极扩产。三星计划 2027 年将 HBM4 系列产量至少翻倍，海力士、美光在多地建设新厂。

有分析指出，存储厂商扩产将直接带动设备采购需求，扩产进程的各个阶段，均对应前道工艺设备以及后道封装测试设备的采购。本轮扩产并非简单的产能复制，技术迭代还会带来额外增长弹性：HBM、DRAM、高层数 3D NAND 等产品，推动刻蚀、薄膜沉积、量测检测等工序的步骤与价值量同步提升。在存储扩产周期中，设备订单具备最高的订单可见度，也是业绩兑现最早的板块。

半导体设备 ETF 易方达（159558，联接基金 A/C：021893/021894）跟踪的中证半导体材料设备主题指数聚焦半导体上游设备、材料及零部件等关键环节；科创芯片 ETF 易方达（589130，联接基金 A/C：020670/020671）跟踪的上证科创板芯片指数聚焦科创板芯片设计、制造、封测等全产业链环节，助力投资者把握产业链机遇。