近日，英特尔公开了一项该公司于 2022 年提交的美国专利（US20240079530A1），披露了一种将 Micro LED 直接集成于 IC 封装内部的玻璃基板架构。

该方案的核心是把带有 Micro LED 的半导体裸片嵌入玻璃基板，再利用基板内的玻璃通孔（TGV）将电力直接输送至裸片上的发光单元；电力与信号随后经封装基板布线至主板，从而在无需外接光源模组的前提下，实现封装级发光功能。

据专利描述，Micro LED 可采用纳米线结构发出红、绿、蓝（RGB）三色光。潜在应用包括 DIY 电子产品的个性化装饰、封装内部的电气测试指示，以及 CPU 表面的发光字样，使芯片同时具备状态指示与外观识别能力。专利还给出多种结构变体，涵盖裸片水平或垂直放置，以及反射器集成等方案。

制造流程方面，首先以激光诱导蚀刻配合化学蚀刻，在玻璃基板中形成通孔与裸片腔体；再通过铜电镀完成 TGV 金属化，并将带有 Micro LED 的裸片嵌入腔体。两侧聚合物封装基板则借助氮化硅层完成键合，形成信号与电力的垂直互连。

这一专利并非孤立技术点，而是英特尔长期布局玻璃基板的延伸。公司自 2013 年起即以玻璃替代有机基板开展研究，积累大量知识产权，并于 2023 年展示首批玻璃基板样品。近两年，相关商业化验证明显加快。

在日本 NEPCON 展会上，英特尔展出一款工程样品：厚玻璃芯结合嵌入式多裸片互连桥（EMIB），在约 78 × 77 毫米的大尺寸封装上实现无裂纹切割。随后在 ECTC 2026 上，公司进一步公布玻璃芯基板的高量产（HVM）技术验证，覆盖通孔形成、金属化、多层布线与光电集成等端到端能力，并强调无缺陷的 24 层结构与精确翘曲控制。

生态系统合作同步扩大。蓝思科技全资子公司已与英特尔签署谅解备忘录（MOU），将 TGV 先进封装列为联合开发优先方向。按分工，英特尔提供架构规格、可制造性设计（DFM）指南与验证方法，蓝思科技负责通孔形成、高精度激光加工、金属化沉积及多层互连布线。蓝思科技已向北美和韩国的 Tier-1 客户交付样品，通孔数量达数百万、非导通率为 0 ppm。

此外，英特尔还与美国半导体技术公司 3D Glass Solutions（3DGS）合作，推进在印度建设一座投资约 33 亿美元的玻璃基板制造工厂。规划年产能约为 7 万片玻璃基板、5000 万个组装单元，以及近 1.3 万个先进 3D 异构集成模块，旨在满足 AI 芯片与高性能计算（HPC）对高密度、大尺寸封装的需求，并计划于 2028 年至 2030 年间启动高量产出货。

总的来看，英特尔此次公开的 Micro LED 集成玻璃基板专利，既是其自 2013 年以来玻璃基板技术积累的延续，也表明其正加速推进封装级光电集成与生态合作。随着量产验证与产业链协同逐步落地，玻璃基板有望在 AI 与 HPC 先进封装领域扮演关键角色。

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