本报讯 （记者徐一鸣）近日，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称 " 长鑫科技 "）正式宣布其第五代 DRAM（动态随机存取存储器）技术平台（以下简称 "G5 平台 "）实现量产，并同步展示了基于该平台的大容量 LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）5X 产品。在此之前，长鑫科技自主研发的 LPDDR6 芯片也已实现量产商用。

    具体来看，依托四重曝光技术，G5 平台将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，已接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。此外，该平台的存储电容深宽比达到 45：1，并开发了适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小到 6762 纳米。LPDDR6 芯片首发则搭载于小米 18Fold 折叠旗舰手机，为全球范围内 LPDDR6 产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为 16GB，最高传输速率可达 12800Mbps，充分满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对极致计算能力的需求。

    西南证券股份有限公司研报称，展望未来，长鑫科技通过上市募资积极扩产，并推动高代际产品迭代，逐步缩小与海外龙头的制程差距，并通过积极布局中高端产品抢占国内市场，长期成长路径清晰。