快科技 10 月 24 日消息，据报道，美光在近期技术研讨会上公布了下一代 AI 内存路线图，核心是名为 vHBM 的垂直高带宽内存架构。

与传统 HBM 通过中介层将内存与处理器并排摆放不同，vHBM 直接将 DRAM 堆叠在运算芯片上方，用无凸块混合铜键合技术取代中介层，大幅压缩数据传输距离。

美光总裁兼 CTO Scott DeBoer 表示，AI 工作负载对每 token 带宽和功耗的要求正在急剧攀升，vHBM 的目标就是消除互连瓶颈。

首代 vHBM 设计目标为 2TB/s 带宽，每比特能耗低于 1 皮焦耳，计划 2028 年启动量产，2030 年前推出三代产品，其中 vHBM3 锁定 2030 年。

但把内存直接压在处理器头顶，带来了一个物理层面的硬伤：散热。法国分析师 Karl Ackerman 指出，内存堆叠在处理器上方会直接挡住处理器的散热路径，形成散热妥协，这很可能限制 vHBM 的应用范围和部署规模。

他判断，vHBM 未来将与标准 HBM 并行使用，而不是全面取代现有架构。美光为 vHBM 准备了集成式烟囱散热器，但散热工程难度依然极高。

与 vHBM 同步推进的还有 vEIM 垂直边缘推理内存，将低功耗 LPDDR 堆叠在边缘设备的逻辑芯片之上，同样瞄准 2TB/s 带宽和低于 1 皮焦耳每比特的能效，计划 2028 年量产。

美光短期的增长引擎仍是 HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD，供应链紧张预计至少持续两年。vHBM 能否从技术蓝图走向大规模商用，散热和制造成本是绕不开的两道关。

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