马斯克旗下 Terafab 项目计划到 2032 年月晶圆产能达到约 100 万片。消息称，Terafab 已于今年秋季向设备厂商透露规划，计划月产约 70 万片存储芯片晶圆、30 余万片计算类半导体晶圆。报道补充，Terafab 规划总月产能约为日本北海道千岁 Rapidus 工厂的 40 倍，后者设计月产能 2.5 万片晶圆。

Terafab 规划的存储产能规模，已与三星当前 DRAM 总月产能（约 65 万– 70 万片晶圆）相当。不过 Terafab 存储制造方案细节仍不明确。该项目尚未披露规划存储产能将如何在 HBM 与 LPDDR 之间分配，也未说明 DRAM 芯片是自研自产堆叠，还是部分外购裸片后封装。

消息称 Terafab 正在洽谈外部技术合作，支撑制造计划。英特尔将为逻辑芯片生产提供技术支持，规划采用其 2nm、1.4nm 工艺。

Terafab 已启动设备采购前期工作。其采购团队本月早些时候赴日本进行秘密考察，希望部分厂商可在数月内交付设备、同步推进装机，目标在 2028 年下半年量产。

但挑战不止设备采购。先进晶圆厂从规划建设到量产通常需要三年以上；设备进场后，还需要较长时间降低缺陷率、实现稳定生产。