快科技 11 月 8 日消息，EUV 光刻机是 7nm 以下先进工艺生产的不可少的关键设备，全球只有 ASML 能量产，日本佳能公司另辟蹊径，推出了一款高性能 KrF 光刻机，套刻精度也达到了 4nm。

佳能公司宣布，将于 2026 年 12 月份上市面向存储和逻辑芯片的 KrF 扫描式半导体光刻机 FPA-6400ES6a，产能达到了 400 片晶圆 / 小时，套刻精度 4nm 也做到了业界高水平。

在对准系统中佳能还加入了可选配的新光源 Hi-ALS（High Alignment Light Source），可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，因此能在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。

另一个关键指标上，这台光刻机还大幅改善了曝光时的翘曲，对应的翘曲量扩大到 700 μ m，强化了对三维器件的堆叠及晶圆键合工艺中产生的晶圆翘曲的应对能力。

此外，佳能还改进了电力控制技术，提升电源效率降低电力损耗，并简化冷却机构，降低了每片晶圆曝光所需的耗电量，同时兼顾了环境保护。

KrF 光刻机指的是 248mm 波长的氟化氪这一代的，跟 193nm 波长的 DUV 光刻机不能比，更不能跟 13.5nm 波长的 EUV 光刻机相比了，因此这台光刻机并不是用于先进工艺生产的，至少不是主设备。

它更像是对标 ASML 的 NXT:870B 光刻机，400 晶圆 / 小时的产能及 4nm 套刻精度是一样的，但后者的翘曲控制能力没有公布，这方面应该是佳能占优一些。

这种光刻机虽然不能生产出 7nm、5nm、3nm 之类的芯片，但它适合 3D 芯片堆叠、晶圆键合等工艺场景，也是目前不可缺少的半导体设备，未来市场需求还是很高的，佳能在这些市场上依然有竞争力。

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