据经济日报报道，国内 DRAM 龙头长鑫存储拒绝苹果（AAPL.US）公司压价要求，坚持 DRAM 报价不低于三星电子和SK 海力士（SKHY.US）。此前多家机构预测全球内存短缺可能持续至 2027 年，供需偏紧格局为长鑫提供了较强的议价底气。5 日存储芯片板块全线走强，兆易创新（603986.SH）涨 8.26%、江波龙（301308.SZ）涨 8.59%、北京君正（300223.SZ）涨 7.74%，芯片 ETF 易方达（516350）涨 6.15%。长鑫此举标志着中国存储厂商在供不应求的市场环境下，正从被动接受定价转向主动参与价格博弈，存储芯片产业链的盈利修复逻辑进一步强化。

一、供需失衡：内存短缺周期延长，卖方市场格局固化

全球 DRAM 市场自 2025 年下半年进入新一轮上行周期，AI 服务器、边缘计算和终端设备升级三重需求叠加，推动内存需求持续超预期增长。供给端，三星、SK 海力士和美光三大巨头扩产节奏偏保守，产能向 HBM（高带宽内存）等高附加值产品倾斜，导致标准型 DRAM 供给缺口扩大。多家机构预测内存短缺至少延续至 2027 年，这一判断为长鑫存储的议价提供了宏观支撑。苹果作为全球最大消费电子厂商，其压价诉求在供给紧张背景下难以兑现，侧面印证了当前存储芯片卖方市场格局的稳固。

二、国产替代：从价格接受者到定价参与者，产业地位质变

长鑫存储此次拒绝苹果压价，并非简单的商业谈判策略，而是反映了中国存储厂商在全球产业链中地位的根本性变化。过去中国存储厂商受制于产能规模和技术差距，在定价上缺乏话语权。随着长鑫 DRAM 产能持续爬坡、良率提升和产品线完善，其全球市场份额逐步扩大，在特定制程和产品规格上已具备与海外巨头同台竞争的能力。此次以不低于三星和 SK 海力士的报价为标准，表明长鑫的产品竞争力已获市场认可，不再依赖低价策略获取订单，这将直接改善其盈利能力和后续研发投入的可持续性。

三、产业链传导：涨价预期从设计向设备材料扩散

存储芯片涨价预期首先利好 IC 设计环节，兆易创新、北京君正等 DRAM/NAND 设计企业将直接受益于产品均价提升带来的毛利率改善。其次，模组和封测环节的江波龙、佰维存储（688525.SH）等企业，在存储颗粒涨价周期中通常享有库存增值收益，盈利能力跟随上行。更深层次看，存储芯片的持续扩产需求将拉动上游设备材料环节景气度，半导体材料设备主题指数跟踪的北方华创（002371.SZ）、中微公司（688012.SH）等设备龙头有望获得增量订单支撑。涨价预期沿产业链传导的路径清晰，板块整体估值修复空间打开。

四、核心标的逐一拆解

兆易创新 5 日收报 385.44 元，上涨 8.26%。公司是国内 NOR Flash 龙头，DRAM 业务通过代工长鑫存储的模式快速放量，在存储芯片涨价周期中弹性最大。DRAM 产品线毛利率有望随均价提升而显著改善，同时 NOR Flash 和 MCU 业务也受益于下游需求回暖。

北京君正 5 日收报 136.03 元，上涨 7.74%。公司通过收购 ISSI 进入 DRAM 和 SRAM 领域，产品覆盖车规级和工业级市场，差异化定位使其在全球存储芯片涨价趋势中具备较强的议价能力，车规 DRAM 业务的毛利率和营收增速有望双升。

江波龙 5 日收报 364.92 元，上涨 8.59%。公司是国内存储模组和品牌龙头，在存储颗粒涨价周期中库存增值效应显著，营收和利润弹性在板块内处于领先水平。旗下雷克沙品牌在全球消费级存储市场份额持续提升，企业级 SSD 业务也在加速导入。

澜起科技（688008.SH）5 日收报 212.00 元，上涨 4.31%。公司是全球内存接口芯片龙头，DDR5 世代产品渗透率仍在提升通道中，受益于 DRAM 整体出货量增长和产品单价提升，业绩增长确定性较强。

存储芯片涨价预期下，投资者可通过芯片 ETF 易方达（516350）和半导体设备 ETF 易方达（159558）进行布局。芯片 ETF 易方达（516350）跟踪中证芯片产业指数（h30007.CSI），覆盖芯片设计、制造、封测全产业链，前十大权重包括兆易创新、中芯国际（688981.SH）、北方华创等，5 日涨 6.15%。该产品在存储芯片涨价周期中能够系统性捕捉设计、制造环节的弹性收益。半导体设备 ETF 易方达（159558）跟踪中证半导体材料设备主题指数（931743.CSI），聚焦半导体设备和材料环节，5 日涨 9.67%，在存储扩产逻辑下受益于资本开支持续增长，适合作为产业链上游的配置选择。需注意存储芯片涨价预期已部分反映在股价中，短期追高风险需警惕，中长期关注产能落地节奏和下游需求兑现情况。