（来源：半导体前沿）

来自长电科技、鼎龙股份、博来纳润、锐杰微、新安纳、中国工程物理研究院、SEMI 、江南大学、苏州大学、包头稀土研究院、SCHMID 等单位的专家将作精彩报告

长鑫存储发行完成后的总市值为 5,791.88 亿元。

长鑫科技集团股份有限公司（简称长鑫科技，股票代码 688825）发布官方公告确认，股票将于 2026 年 7 月 27 日在上交所科创板正式上市。本次发行定价 8.66 元 / 股，发行后公司总股本为 6,688,088.6077 万股（超额配售选择权行使前），发行完成后的总市值为 5,791.88 亿元。

国产存储长期受制于海外寡头垄断

DRAM 是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。我国是全球最大的 DRAM 需求市场之一，而全球前三家 DRAM 厂商三星电子、SK 海力士和美光科技长期占全球 90% 以上的市场份额。

2025 年下半年起，全球大模型、AI 服务器建设带动高端 DRAM 需求暴涨，DDR5、HBM 等高附加值存储芯片供需缺口扩大，存储行业走出持续数年的下行周期。长鑫存储业绩实现跨越式反转，2025 年全年实现扭亏，归母净利润 18.75 亿元；2026 年一季度营收 508 亿元，同比增幅 719%，单季净利润大幅走高，上半年业绩指引区间净利润达 500 至 570 亿元，盈利基本面支撑资本化落地。

十年技术攻坚，产能规模中国第一

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。自 2016 年成立以来，始终专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。公司采取 " 跳代研发 " 的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据 Omdia 的数据，按出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。

长鑫科技于 2019 年 9 月推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，实现了中国大陆 DRAM 产业 " 从零到一 " 的突破。同时，长鑫科技积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，现已形成 DDR 系列、LPDDR 系列等多元化产品布局，并可提供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。当前长鑫已是国内唯一实现 DRAM 全流程 IDM 量产的企业，合肥、北京布局 3 座 12 英寸晶圆厂，月产能 30 万片，全球市场份额约 7.7% 产能规模位居中国第一、全球第四。

  募资投向产能扩张与高端技术突破

本次扣除发行费用后净额 295 亿元募资全部用于存储芯片主业，资金分配清晰：75 亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造；130 亿元投入 DRAM 存储器技术升级；90 亿元布局动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。

存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目拟在发行人子公司上进行技术改造，逐步实现向中高端产品生产线工艺技术的切换，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，完成工艺产品线的改造升级。通过实施本项目，一方面可以实现 DRAM 生产线的技术改造升级，降低生产成本。另一方面也可以借本次技术升级改造，同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作，促进产业链、供应链本土化、多元化，增强公司抗风险能力。

DRAM 存储器技术升级项目拟在 DRAM 存储器示范线项目上进行技术改造，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，核心升级内容包括工艺提升、产品迭代等。通过实施本项目，将发行人子公司提升至更新一代工艺技术平台。

动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目聚焦适配于未来先进 DRAM 所需要的前瞻技术研究，将以市场和客户需求趋势为基础，基于 DRAM 未来前沿技术发展方向，对适配 DRAM 的前瞻技术开展研发工作。发行人拟投入募集资金中的 90 亿元开展前瞻技术研发工作，拓展公司在相关领域的自主创新能力和研发水平，保持公司技术持续领先性。

来源：官方媒体 / 网络新闻

—论坛信息—

名称：2026CMP 与先进封装材料论坛

时间：2026 年 7 月 29-30 日

地点：苏州

主办方：亚化咨询

—会议背景—

在半导体制造中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化、支撑先进制程持续演进的关键工艺。随着制程节点不断向纳米级推进，CMP 对抛光液、抛光垫及清洗材料提出了更高的缺陷控制与选择性要求，并直接影响器件良率。

亚化咨询测算，2026 年全球 CMP 材料（包括抛光液、抛光垫和清洗液等）市场规模约 42 亿美元，其中中国市场约 80 亿元人民币，占比持续提升。预计到 2032 年，中国 CMP 材料市场有望超过 160 亿元人民币，年均增速在 10% 左右，增量主要来自化合物半导体（尤其是 SiC）和先进封装对 CMP 工艺和材料需求的快速增长。

与此同时，半导体产业正加速迈入 " 超越摩尔 " 阶段。2.5D/3D 集成、Chiplet 以及无凸点混合键合等先进封装技术，正在将 CMP 的应用边界从前道晶圆制造拓展至后道封装环节。面对 TSV 填铜平坦化、多材料界面的高选择性去除，以及原子级表面平整度控制等新挑战，CMP 技术及材料体系正迎来新一轮持续创新。

在成熟制程晶圆制造 CMP 材料需求的稳固基础上，AI 算力芯片和 HBM 堆叠需求的快速增长，进一步拉动先进封装相关 CMP 抛光液、清洗液及抛光垫的用量持续提升，正成为半导体材料领域最具增长潜力的方向之一。

当前，全球产业链加速重构，半导体关键材料自主可控已成为业界共识。无论是支撑成熟与先进制程的降本增效，还是助力先进封装技术的持续突破，CMP 材料的国产替代与上下游协同都具有关键意义。