每日经济新闻 15小时前
产能不足!力积电预计明年逻辑代工再涨价10%至20%,有A股存储企业称四季度售价或继续上调
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" 产能不足,预计 2027 年再调涨 10% 至 20%,并以长期供货协议(LTA)绑定 2027 年价量。"10 月 21 日,晶圆代工厂力晶积成电子制造股份有限公司(以下简称 " 力积电 ")在 2026 年第三季度法人说明会(以下简称 " 法说会 ")简报中,对逻辑代工业务作出上述判断。存储业务方面,力积电表示,利基型动态随机存取存储器(DRAM)的晶圆代工投片价格持续维持高档。

代工报价的变化,直接关系到下游芯片设计企业的制造成本。力积电对 DRAM、NOR Flash(NOR 闪存)和 NAND Flash(NAND 闪存)供需形势的判断,也与多家 A 股存储芯片公司的业务相关,包括兆易创新、普冉股份、东芯股份与君正股份等。

《每日经济新闻》记者(以下简称 " 每经记者 ")致电上述四家公司,其中有两家公司给出回应:一家公司表示,对客户的价格四季度预计继续上调;另一家公司则表示,代工端涨价已持续多个季度。

力积电:推理需求是消耗算力的 " 无底洞 "

晶圆代工厂负责替芯片设计企业生产芯片,力积电是全球少数同时具备逻辑代工和存储代工能力的晶圆代工厂。据 TrendForce(集邦咨询)统计,2026 年第二季度,力积电营收 4.32 亿美元,环比增长 11.9%,在全球晶圆代工厂中排名第十。今年年初,力积电以 18 亿美元将铜锣厂房出售给美光科技并与其建立合作,目前整合旗下三座 12 英寸和两座 8 英寸晶圆厂资源。随着三大存储原厂将重心转向高带宽存储器(HBM),力积电董事长谢再居在法说会上直言,力积电有望成为全球唯一继续提供传统 DRAM 代工的企业。

力积电总经理朱宪国在法说会上披露,第三季度,公司 8 英寸、12 英寸逻辑代工的投片平均售价已环比上调 8% 至 10%。力积电计划通过 LTA 锁定 2027 年的价格与数量。

支撑涨价的,是多个应用领域需求旺盛、产能偏紧。力积电称,人工智能(AI)服务器以及汽车、工控领域的电源管理芯片(PMIC)需求持续旺盛,其 55 纳米 BCD(一种单片集成半导体制造工艺)制程已开始出货,客户要求锁定三年供货;功率器件 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应管)和 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的 2027 年产能,也已有近 80% 签下 LTA。2026 年晶圆代工厂满载,手机用 PMIC(电源管理集成电路)的产能受到挤压,手机大厂对 2027 年产能的需求仍较积极。

车用触控与显示驱动集成芯片(TDDI)同样供应偏紧。力积电称,相关需求旺盛,加之部分代工厂减产,产能短缺、交期延长的情况仍未改善。

在存储业务方面,第三季度 DRAM 已占力积电营收的 60% 以上,公司把推理需求形容为消耗算力的 " 无底洞 "。近期市场上拆板 DRAM(从旧电路板上拆下回收的 DRAM)供应充足,DDR3(第三代双倍速率同步动态随机存取存储器)现货价格走弱,力积电认为这只是短期现象,并明确表示:" 利基型 DRAM 晶圆代工投片价格不受影响,持续维持在高档。"

力积电还披露,存储晶圆从投片到产出约需 4 个月,存储代工按投片计价,目前产出平均售价与投片平均售价之间仍有 30% 以上的落差。力积电预计,第四季度全公司营收将继续实现两位数环比增长。

在新产能方面,力积电在简报中表示,DRAM 1P 制程预计 2027 年第二季度试产;与美光科技合作的 PWF(晶圆制造后段)产线预计 2027 年第四季度进入量产;新厂规划聚焦 3D AI Foundry(三维人工智能代工厂),将与战略客户共同投资新产能;整合型被动元件(IPD)的需求能见度已延伸到 2028 年。

在供给端,力积电称,国际大厂已将重心移向 3D TLC(三维三层单元)或 QLC NAND Flash(四层单元 NAND 闪存),MLC NAND Flash(多层单元 NAND 闪存)供应不足,大容量 SLC NAND Flash(单层单元 NAND 闪存)的需求有望进一步扩大。TrendForce 研究数据显示,受三星电子 2026 年 6 月停止出货等因素影响,2026 年全球 MLC NAND Flash 产能预计同比缩减 41.7%,旺宏转产也收紧了 NOR Flash 供给。力积电已将 SLC NAND Flash 代工平台转向 24 纳米制程,MLC NAND Flash 新产品预计于 2026 年底流片。

在需求端,力积电在简报中表示,AI 服务器的 NOR Flash 单机搭载量是传统服务器的 3 至 5 倍。TrendForce 研究也显示,256Mb(兆比特)及以上大容量 NOR Flash 产品供不应求。

具体到 A 股公司,兆易创新的产品覆盖 NOR Flash、利基型 DRAM 和 SLC NAND Flash。按弗若斯特沙利文统计口径,兆易创新的 NOR Flash 排名全球第二,SLC NAND Flash 排名全球第六;东芯股份布局 SLC NAND Flash 和利基型 DRAM;普冉股份有 NOR Flash 业务,并通过控股孙公司 SkyHigh Memory(以下简称 "SHM")拓展 2D NAND;君正股份则布局面向汽车、工业等市场的存储产品。

每经记者注意到,海外供应商调整产品重心,为同类供应商拓展客户留出了空间;AI 服务器 NOR Flash 单机搭载量提高,也带来了新增需求。但芯片设计企业自身也要向代工厂采购晶圆制造服务:代工报价影响采购成本,芯片售价影响销售收入,能拿到多少产能,客户导入是否顺利,则决定实际出货量。涨价收益最终能留下多少,取决于这几方面的共同变化。下游汽车电子、工控、家电企业也需要消化器件采购成本的变化。

有 A 股存储企业预计第四季度继续调价

10 月 22 日,每经记者分别致电兆易创新、普冉股份、东芯股份与君正股份四家公司,其中有两家公司给出回应。

" 我们现在产能是非常紧的。" 一家公司的信披部门有关人士表示," 我们对客户的价格也一直在调整 "" 四季度预计还是会上调 "。

" 我们的售价肯定是要覆盖我们的成本的。" 上述有关人士表示,在产能紧张的背景下,晶圆制造端的价格也会相应调整,价格上涨是当前行业趋势。另外,该人士提到,销售端作相应调整,以覆盖成本。

另一公司的信披部门有关人士则表示,明年的价格能不能维持高位说不准," 晶圆厂从去年开始就一直在涨价,已经持续多个季度。"

此外,每经记者留意到,东芯股份 9 月 30 日披露的调研记录称,第三季度利基型存储价格持续环比上涨,成熟产线建设和设备导入周期较长,供给释放节奏偏慢。兆易创新 8 月 18 日的调研记录则预计,存储芯片及微控制器(MCU)售价温和上涨,与供应端成本上行同步发生,毛利率将逐渐趋稳。TrendForce 报告也预计,2027 年 DRAM 供给将持续紧缺。

业绩方面,已公布第三季度业绩的力积电,自结(未经审计)营收 213.42 亿新台币,环比增长 23%,同比增长 80%;净利润 65 亿新台币,环比增长 98%,同比增长 338%;合并毛利率由上一季度的 28% 升至 48%,产能利用率由 87% 升至 97%;前三季度累计营收 522 亿新台币,同比增长 52.5%。力积电将毛利改善归因于平均售价环比提升 24%、铜锣厂停线以及整体产能利用率上升。

截至 10 月 22 日,上述 A 股四家公司尚未披露三季报。从 2026 年半年报看,四家公司业绩均大幅增长,但增长来源不尽相同。

兆易创新上半年营收 115.66 亿元,同比增长 178.67%;归母净利润 68.57 亿元,同比增长 1091.50%。其中,第二季度营收 73.78 亿元,环比增长 76.17%;归母净利润 53.96 亿元,环比增长 269.34%。上半年存储芯片收入 98.27 亿元,毛利率约 67.57%。兆易创新称,利基型 DRAM 与 SLC NAND Flash 量价齐升,NOR Flash 价格温和上涨。需要注意的是,其同期扣非归母净利润为 48.83 亿元,22.28 亿元的公允价值变动收益也增厚了当期利润。

普冉股份上半年营收 39.59 亿元,同比增长 336.67%;归母净利润 8.27 亿元,同比增长 1929.65%。其中,第二季度营收 25.12 亿元,环比增长 73.60%;归母净利润 5.76 亿元,环比增长 129.48%。并表的 SHM 贡献收入约 23.46 亿元,约占总营收的 59%,并购扩张是其增长的重要来源。

东芯股份上半年营收 14.97 亿元,同比增长 336.44%;归母净利润 6.59 亿元,实现扭亏为盈,综合毛利率 67.66%。其中,第二季度营收 10.18 亿元,环比增长 112.53%;归母净利润 5.21 亿元,环比增长 277.54%。东芯股份称,海外原厂退出利基型市场,叠加网通、工控及汽车电子需求复苏,以 SLC NAND Flash 为代表的业务量价齐升。

君正股份上半年营收 39.57 亿元,同比增长 75.95%;归母净利润 11.98 亿元,同比增长 489.59%。其中,第二季度营收 23.97 亿元,环比增长 53.65%;归母净利润 8.79 亿元,环比增长 175.55%。存储芯片收入 26.32 亿元,同比增长 90.08%,约占总营收的三分之二,毛利率 48.07%。君正股份称,DRAM 供应紧张、售价涨幅较大;Flash 则受益于 AI 服务器、光模块等领域的发展,销量明显增长。

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